3.3V引腳的直流電流50毫安LED和集成光耦合器
發(fā)布時間:2020/12/25 23:12:28 訪問次數(shù):311
超級18M SCT1842前向包引擎(PFE)，允許檢查超過100萬登記的表格而消耗功率不足6W，是業(yè)界唯一的18M位TCAM(遠程通信存取法)，滿足OC-192和OC-48交換機和路由器有線速度傳輸?shù)囊蟆?/span>
PFE提供66M次取樣/秒，支持登記寬度72，144，288，360，432和576位，滿足IPv6分類所要的條件。高達16超-18M器件能級聯(lián)成超過200萬144位登記的表格。
其結構包括一個三端口的接口，允許進行路由和政策性表格的管理而不影響搜索過程。40mm 的BGA PFE有66,83 和100MHz三種速度。
工作電壓 5伏
輸入電壓（推薦） 7-12V
輸入電壓（極限） 6-20V
數(shù)字I / O引腳 14個（其中6個提供PWM輸出）
PWM數(shù)字I / O引腳 6
模擬輸入引腳 6
每個I / O引腳的直流電流 20毫安
3.3V引腳的直流電流 50毫安
快閃記憶體 32 KB（ATmega328P），其中引導加載程序使用了0.5 KB
SRAM 2 KB（ATmega328P）
EEPROM 1 KB（ATmega328P）
時鐘速度 16兆赫
LED_BUILTIN 13
長度 68.6毫米
寬度 53.4毫米
重量 25克
封裝在8引腳DIP封裝的LTP351光耦合器件，引腳上和先前的產品兼容，僅消耗2mA的電流，是同類器件中最低的。該器件適合用在IGBT和MOSFET的柵驅動和反相器使用。
該器件有LED和集成光耦合器，采用BiCMOS工藝，以達到低功耗。指標包括有正向電流20mA,反向電壓5V，電源電壓為35V，工作溫度在0度到100度，絕緣電壓為3750Vrms。
M48Z32V的工作電壓3.3V(+/-10%)，當Vcc低于Vpfd (2.85V +/- 0.15V)時，器件的"故障失效檢測"積分電路對存儲器進行寫保護。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
超級18M SCT1842前向包引擎(PFE)，允許檢查超過100萬登記的表格而消耗功率不足6W，是業(yè)界唯一的18M位TCAM(遠程通信存取法)，滿足OC-192和OC-48交換機和路由器有線速度傳輸?shù)囊蟆?/span>
PFE提供66M次取樣/秒，支持登記寬度72，144，288，360，432和576位，滿足IPv6分類所要的條件。高達16超-18M器件能級聯(lián)成超過200萬144位登記的表格。
其結構包括一個三端口的接口，允許進行路由和政策性表格的管理而不影響搜索過程。40mm 的BGA PFE有66,83 和100MHz三種速度。
工作電壓 5伏
輸入電壓（推薦） 7-12V
輸入電壓（極限） 6-20V
數(shù)字I / O引腳 14個（其中6個提供PWM輸出）
PWM數(shù)字I / O引腳 6
模擬輸入引腳 6
每個I / O引腳的直流電流 20毫安
3.3V引腳的直流電流 50毫安
快閃記憶體 32 KB（ATmega328P），其中引導加載程序使用了0.5 KB
SRAM 2 KB（ATmega328P）
EEPROM 1 KB（ATmega328P）
時鐘速度 16兆赫
LED_BUILTIN 13
長度 68.6毫米
寬度 53.4毫米
重量 25克
封裝在8引腳DIP封裝的LTP351光耦合器件，引腳上和先前的產品兼容，僅消耗2mA的電流，是同類器件中最低的。該器件適合用在IGBT和MOSFET的柵驅動和反相器使用。
該器件有LED和集成光耦合器，采用BiCMOS工藝，以達到低功耗。指標包括有正向電流20mA,反向電壓5V，電源電壓為35V，工作溫度在0度到100度，絕緣電壓為3750Vrms。
M48Z32V的工作電壓3.3V(+/-10%)，當Vcc低于Vpfd (2.85V +/- 0.15V)時，器件的"故障失效檢測"積分電路對存儲器進行寫保護。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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