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LED和集成光耦合器MOSFET的柵驅(qū)動和反相器使用

發(fā)布時間:2020/12/27 21:32:45 訪問次數(shù):816

M48Z32V ZEROPOWER®非易失性RAM存儲器(NVRAM),此舉進一步擴充了該公司的NVRAM 產(chǎn)品家族。ST利用分立器件,使新產(chǎn)品不僅是一個高度集成的具有電池備用電源的普通NVRAM,而且還兼?zhèn)潆娐穼崿F(xiàn)的靈活性。新產(chǎn)品特別適合網(wǎng)絡(luò)路由器及交換機、服務器及存儲設(shè)備、電子游戲,以及其它任何一種小尺寸和/或低成本非常關(guān)鍵的應用。

在傳統(tǒng)上,具有電池備用電源的NVRAM通常采用非標準化封裝,這種封裝在印制電路板上十分凸出,當元器件的高度受到限制時,會產(chǎn)生一些問題。

制造商:Power Integrations產(chǎn)品種類:電源管理模塊RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:IGBT Drivers最大輸入電壓:15.5 V輸出電壓:-輸出電流:35 A最大工作溫度:+ 85 C商標:Power Integrations集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:3.3 kV尺寸:197.1 mm x 43.94 mm x 12 mm下降時間:30 ns最小輸入電壓:14.5 V最小工作溫度:- 40 C輸出功率:2.2 W封裝:Bulk上升時間:9 ns系列:1SP0635

封裝在8引腳DIP封裝的LTP351光耦合器件,引腳上和先前的產(chǎn)品兼容,僅消耗2mA的電流,是同類器件中最低的。該器件適合用在IGBT和MOSFET的柵驅(qū)動和反相器使用。

該器件有LED和集成光耦合器,采用BiCMOS工藝,以達到低功耗。指標包括有正向電流20mA,反向電壓5V,電源電壓為35V,工作溫度在0度到100度,絕緣電壓為3750Vrms。該器件滿足下一代設(shè)備的要求。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

M48Z32V ZEROPOWER®非易失性RAM存儲器(NVRAM),此舉進一步擴充了該公司的NVRAM 產(chǎn)品家族。ST利用分立器件,使新產(chǎn)品不僅是一個高度集成的具有電池備用電源的普通NVRAM,而且還兼?zhèn)潆娐穼崿F(xiàn)的靈活性。新產(chǎn)品特別適合網(wǎng)絡(luò)路由器及交換機、服務器及存儲設(shè)備、電子游戲,以及其它任何一種小尺寸和/或低成本非常關(guān)鍵的應用。

在傳統(tǒng)上,具有電池備用電源的NVRAM通常采用非標準化封裝,這種封裝在印制電路板上十分凸出,當元器件的高度受到限制時,會產(chǎn)生一些問題。

制造商:Power Integrations產(chǎn)品種類:電源管理模塊RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:IGBT Drivers最大輸入電壓:15.5 V輸出電壓:-輸出電流:35 A最大工作溫度:+ 85 C商標:Power Integrations集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:3.3 kV尺寸:197.1 mm x 43.94 mm x 12 mm下降時間:30 ns最小輸入電壓:14.5 V最小工作溫度:- 40 C輸出功率:2.2 W封裝:Bulk上升時間:9 ns系列:1SP0635

封裝在8引腳DIP封裝的LTP351光耦合器件,引腳上和先前的產(chǎn)品兼容,僅消耗2mA的電流,是同類器件中最低的。該器件適合用在IGBT和MOSFET的柵驅(qū)動和反相器使用。

該器件有LED和集成光耦合器,采用BiCMOS工藝,以達到低功耗。指標包括有正向電流20mA,反向電壓5V,電源電壓為35V,工作溫度在0度到100度,絕緣電壓為3750Vrms。該器件滿足下一代設(shè)備的要求。


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