MC100EP196與 PECL或NECL模式的正負參考低電壓3.0至3.6伏系統(tǒng)均兼容。

SH7058F是F-ZTATTM (靈活的零轉(zhuǎn)換時間)的器件，大受歡迎的也有SH-2E CPU內(nèi)核的SH7055F MCU升級產(chǎn)品。然而新芯片有兩倍的運行速度，兩倍片上閃存容量和多50%的RAM 48K字節(jié)(KB)。

單電壓可編1MB閃存是單周期存取的。片上的讀寫固件不需要由用戶預(yù)先提供的閃存寫/擦除程序。除了通常的寫/擦模式，SH7058F有用戶引導(dǎo)模式。在這個模式里，工程師能編寫一個客戶程序，用于在系統(tǒng)加電時的引導(dǎo)運行。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:800 V Id-連續(xù)漏極電流:11 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:400 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:43.6 nC 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:35 W 通道模式:Enhancement 商標名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.3 mm 長度:10.4 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 寬度:4.6 mm 商標:STMicroelectronics 正向跨導(dǎo) - 最小值:8 S 下降時間:15 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:17 ns 1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:46 ns 典型接通延遲時間:22 ns 單位重量:2.040 g

為滿足高的重加電壓上升率，常采用陰極發(fā)射極短路結(jié)構(gòu)。小功率光控晶閘管常應(yīng)用于電隔離，為較大的晶閘管提供控制極觸發(fā);也可用于繼電器、自動控制等方面。大功率光控晶閘管主要用于高壓直流輸電。

當1和2腳加上 5V 以上電源后，就能使發(fā)光管發(fā)光，驅(qū)動光控晶閘管進入通態(tài)，此時，5 和 4 腳構(gòu)成一個電阻，阻值大約為 10K。當 1 和 2 不加電壓時，則 4 和 5 可以看成一個無窮大的電阻。

普通光電耦合器只能傳輸數(shù)字信號(開關(guān)信號)，不適合傳輸模擬信號。

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