GA100TS60SQ是全絕緣半橋式�？�，用IR公司的標(biāo)準(zhǔn)速度IGBT做成，100A時的正向壓降為1.11V，有快速反向恢復(fù)QuietIR二極管。輔助發(fā)射極端用來阻塞大輸出電流從驅(qū)動電路流入集電極-發(fā)射極，降低了開關(guān)能量和開關(guān)時間。

GA200HS60S和 GA100TS60SQ相似，沒有二極管，額定電流250A。每個開關(guān)用兩個標(biāo)準(zhǔn)速度IGBT并聯(lián)做成，200A時的正向壓降為1.19V。很低的飽和電壓是要用在導(dǎo)通損耗必須要盡可能低的地方，如TIG焊接機(jī)和在線UPS。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:達(dá)林頓晶體管 配置:Single Dual Collector 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:80 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:10 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 最大直流電集電極電流:2 A 最大集電極截止電流:0.01 uA Pd-功率耗散:2 W 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-223 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:3000 高度:1.65 mm 長度:6.7 mm 寬度:3.7 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 集電極連續(xù)電流:2 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:3000 at 50 mA at 5 V, 3000 at 500 mA at 5 V, 3000 at 1 A at 5 V, 2000 at 2 A at 5 V 產(chǎn)品類型:Darlington Transistors 1000 子類別:Transistors 單位重量:112 mg

IMA電路要通過23種不同的質(zhì)量保證測試，證明它和ATM論壇的IMA 1.1標(biāo)準(zhǔn)兼容。Zarlink的IMA芯片也和ATM論壇的IMA 1.0和UNI標(biāo)準(zhǔn)兼容。

IMA芯片現(xiàn)在能大量生產(chǎn)。1K定貨量時，ZL30266的價(jià)格為$48.0，ZL30227為$64.00，ZL30228為$87.00。器件是引腳-引腳兼容的384針PBGA封裝，并支持DSL參考設(shè)計(jì)和軟件。

IAP開關(guān)模塊有很低的導(dǎo)通損耗，因此工作時溫度更低，更可靠。電路設(shè)計(jì)者能簡化布局和熱沉的要求，降低裝配成本和維護(hù)費(fèi)用產(chǎn)品外形主要性能。

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