內(nèi)部集成的關(guān)鍵功能包括：由低RDSon N溝道功率MOSFET配置成H全橋的完備驅(qū)動級電路，為驅(qū)動電機繞組提供高達1.2A RMS @ 5-46V驅(qū)動；SPI接口用于系統(tǒng)配置和診斷；方向步進控制接口。

DRAM 內(nèi)存單元必需刷新，避免丟失數(shù)據(jù)內(nèi)容。這要求丟失電荷前刷新電容器。刷新內(nèi)存由內(nèi)存控制器負責(zé)，刷新時間指標(biāo)因不同DRAM內(nèi)存而不同。內(nèi)存控制器對行地址進行僅RAS循環(huán)，進行刷新。在僅RAS循環(huán)結(jié)束時，進行預(yù)充電操作，恢復(fù)僅RAS循環(huán)中尋址的行數(shù)據(jù)。內(nèi)存控制器有一個行計數(shù)器，其順序生成僅RAS刷新周期所需的所有行地址。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：100類別：電容器家庭：薄膜電容器系列：ECQ-V包裝：散裝電容：0.39μF容差：±5%額定電壓 - AC：-額定電壓 - DC：100V介電材料：聚酯，金屬化 - 層疊式ESR（等效串聯(lián)電阻）：-工作溫度：-40°C ~ 105°C安裝類型：通孔封裝/外殼：徑向大小/尺寸：0.402" 長 x 0.217" 寬（10.20mm x 5.50mm）高度 - 安裝（最大值）：0.591"（15.00mm）端接：PC 引腳引線間距：0.197"（5.00mm）應(yīng)用：通用特性：-其它名稱：ECQV1394JMW

在ADC進行轉(zhuǎn)換的過程中，采樣保持電路進入保持階段。通常采樣保持電路是靠電容來進行電壓保持的，由于電容和采樣開關(guān)中漏電流以及保持電路中偏置電流的影響，使保持的模擬電壓隨時間的延續(xù)而有所下降(或上升)，其下降的速率就是采樣保持電路的頂級率。

頂級率過大就會影響轉(zhuǎn)換精度。頂級率和捕獲時間不但與采樣保持電路有關(guān)，而且還與外接的保持電容有關(guān)，增大電容時，可以減小頂級率，但捕獲時間將增大，因此需要全面考慮。對于模擬輸入電壓變化緩慢的系統(tǒng)，可以不使用采樣保持電路，一般模擬輸入電壓變化不超過1/2LSB時，就可不用。

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