摻爾光纖放大器EDFA的泵源低頻分立器件的方法

發(fā)布時(shí)間:2021/1/3 13:09:58 訪問(wèn)次數(shù):316

980nm波長(zhǎng)泵激光二極管ML861E5S，它能輸出超高峰值功率1100mW，而不會(huì)對(duì)密集波分多路復(fù)用(DWDM)應(yīng)用帶來(lái)災(zāi)難性的光學(xué)損害(COD)。不需冷卻的ML8627S激光二極管在大城市區(qū)域網(wǎng)的應(yīng)用中，在整個(gè)溫度范圍提供優(yōu)異的波長(zhǎng)穩(wěn)定性。兩種二極管用作摻爾光纖放大器(EDFA)的泵源。

傳統(tǒng)上采用低頻分立器件的方法不能充分滿(mǎn)足這些電源系統(tǒng)的要求。

NIS3001填補(bǔ)了這項(xiàng)技術(shù)空缺，它在1MHz下能提供高達(dá)20安培的電流。它還能將先進(jìn)微處理器平臺(tái)上的電源功效提升4%。NIS3001率先采用安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的PInPAK?(電源集成封裝)技術(shù)。

信號(hào)調(diào)節(jié)

412

射頻無(wú)線雜項(xiàng)

253

信號(hào)調(diào)節(jié)

3,575

厚膜電阻器 - SMD

2,369,482

多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT

180,390

多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT

185,981

薄膜電容器

1,000

穩(wěn)壓二極管

13,974

固定電感器

1,646

多路復(fù)用開(kāi)關(guān) IC

12,806

M8627S的指標(biāo)：輸出功率為200mW(25度C的典型值);閾值電流為70mA(25度C的典型值)；波長(zhǎng)穩(wěn)定度：980 +/- 10 nm (0-200 mW; 0-70 度C)；激光束分散度：平行8度，垂直19度；縱橫比小于2.5。

現(xiàn)在可提供ML861E5S的樣品，封裝為T(mén)O-CAN或載體上芯片.

將全面測(cè)試過(guò)的模擬驅(qū)動(dòng)器封裝與分立開(kāi)關(guān)共同封裝，這是直流/直流轉(zhuǎn)換器的創(chuàng)舉。這種封裝套封裝的方法確保了'高良率裸片'，并提高了高頻電源設(shè)計(jì)的性能，更簡(jiǎn)化了混合技術(shù)的制造程序。

NIS3001由QFN封裝的CMOS模擬門(mén)驅(qū)動(dòng)器NCP5351和兩個(gè)MOSFET裸芯片組成。高邊的NTC60N02R和低邊的NTC95N02 MOSFETs結(jié)合了安森美半導(dǎo)體的專(zhuān)利HD3E平面技術(shù)，具有世界級(jí)轉(zhuǎn)換性能。