單模分布式反饋DFB激光二極管ML9XX37
發(fā)布時間:2021/1/3 13:13:50 訪問次數:714
單模分布式反饋(DFB)激光二極管ML9XX37,它是下一代40Gbps光網絡的功率強大的連續(xù)波光源,在0-50度C的溫度范圍內把輸出功率至少提高了60mW。
和10Gbps外部調制器連接,傳輸距離超過100km的激光器,對于超長距離的光纖應用,能大幅度節(jié)約成本,因為在整個網絡系統(tǒng)中可以用更小的激光器件。
ML9XX37 DFB激光二極管的線寬非常小,不到1MHz,因此很適合用在DWDM中。該器件有40dB的邊模抑制比(SMSR),最大限度地減小脈沖信號的衰減。
制造商: Mini-Circuits
產品種類: 音頻變壓器/信號變壓器
RoHS: 詳細信息
產品: RF
類型: SMT Transformers
端接類型: SMD/SMT
頻率范圍: 10 MHz to 3000 MHz
初級線圈阻抗: 50 Ohms
次級線圈阻抗: 50 Ohms
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
通道數量: 1 Channel
封裝 / 箱體: 4.06 mm x 3.81 mm x 4.06 mm
長度: 4.06 mm
寬度: 3.81 mm
高度: 4.06 mm
系列: TCM2
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
最大直流電流: 30 mA
功率額定值: 0.4 W
商標: Mini-Circuits
產品類型: Audio & Signal Transformers
工廠包裝數量: 2000
子類別: Transformers
單位重量: 4.622 g

NIS3001面積僅為10.5 mm x 10.5 mm。因而,與單個SO-8驅動器配合兩個D2PAK或四個DPAK MOSFET的分立器件方法相比,它大幅縮小電路板空間占用達50%。
安森美半導體在電源密度上取得的這一突破,可使設計人員設計出電流密度達每平方英寸10安培的先進微處理器電源。
采用分立器件通常僅能獲得每平方英寸5安培的電流密度。這一領先技術也有助于大大節(jié)省電源在日漸縮小的電路板的占用空間。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
單模分布式反饋(DFB)激光二極管ML9XX37,它是下一代40Gbps光網絡的功率強大的連續(xù)波光源,在0-50度C的溫度范圍內把輸出功率至少提高了60mW。
和10Gbps外部調制器連接,傳輸距離超過100km的激光器,對于超長距離的光纖應用,能大幅度節(jié)約成本,因為在整個網絡系統(tǒng)中可以用更小的激光器件。
ML9XX37 DFB激光二極管的線寬非常小,不到1MHz,因此很適合用在DWDM中。該器件有40dB的邊模抑制比(SMSR),最大限度地減小脈沖信號的衰減。
制造商: Mini-Circuits
產品種類: 音頻變壓器/信號變壓器
RoHS: 詳細信息
產品: RF
類型: SMT Transformers
端接類型: SMD/SMT
頻率范圍: 10 MHz to 3000 MHz
初級線圈阻抗: 50 Ohms
次級線圈阻抗: 50 Ohms
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
通道數量: 1 Channel
封裝 / 箱體: 4.06 mm x 3.81 mm x 4.06 mm
長度: 4.06 mm
寬度: 3.81 mm
高度: 4.06 mm
系列: TCM2
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
最大直流電流: 30 mA
功率額定值: 0.4 W
商標: Mini-Circuits
產品類型: Audio & Signal Transformers
工廠包裝數量: 2000
子類別: Transformers
單位重量: 4.622 g

NIS3001面積僅為10.5 mm x 10.5 mm。因而,與單個SO-8驅動器配合兩個D2PAK或四個DPAK MOSFET的分立器件方法相比,它大幅縮小電路板空間占用達50%。
安森美半導體在電源密度上取得的這一突破,可使設計人員設計出電流密度達每平方英寸10安培的先進微處理器電源。
采用分立器件通常僅能獲得每平方英寸5安培的電流密度。這一領先技術也有助于大大節(jié)省電源在日漸縮小的電路板的占用空間。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)