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單模分布式反饋DFB激光二極管ML9XX37

發(fā)布時間:2021/1/3 13:13:50 訪問次數:714

單模分布式反饋(DFB)激光二極管ML9XX37,它是下一代40Gbps光網絡的功率強大的連續(xù)波光源,在0-50度C的溫度范圍內把輸出功率至少提高了60mW。

和10Gbps外部調制器連接,傳輸距離超過100km的激光器,對于超長距離的光纖應用,能大幅度節(jié)約成本,因為在整個網絡系統(tǒng)中可以用更小的激光器件。

ML9XX37 DFB激光二極管的線寬非常小,不到1MHz,因此很適合用在DWDM中。該器件有40dB的邊模抑制比(SMSR),最大限度地減小脈沖信號的衰減。

制造商: Mini-Circuits

產品種類: 音頻變壓器/信號變壓器

RoHS: 詳細信息

產品: RF

類型: SMT Transformers

端接類型: SMD/SMT

頻率范圍: 10 MHz to 3000 MHz

初級線圈阻抗: 50 Ohms

次級線圈阻抗: 50 Ohms

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

通道數量: 1 Channel

封裝 / 箱體: 4.06 mm x 3.81 mm x 4.06 mm

長度: 4.06 mm

寬度: 3.81 mm

高度: 4.06 mm

系列: TCM2

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

最大直流電流: 30 mA

功率額定值: 0.4 W

商標: Mini-Circuits

產品類型: Audio & Signal Transformers

工廠包裝數量: 2000

子類別: Transformers

單位重量: 4.622 g


NIS3001面積僅為10.5 mm x 10.5 mm。因而,與單個SO-8驅動器配合兩個D2PAK或四個DPAK MOSFET的分立器件方法相比,它大幅縮小電路板空間占用達50%。

安森美半導體在電源密度上取得的這一突破,可使設計人員設計出電流密度達每平方英寸10安培的先進微處理器電源。

采用分立器件通常僅能獲得每平方英寸5安培的電流密度。這一領先技術也有助于大大節(jié)省電源在日漸縮小的電路板的占用空間。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

單模分布式反饋(DFB)激光二極管ML9XX37,它是下一代40Gbps光網絡的功率強大的連續(xù)波光源,在0-50度C的溫度范圍內把輸出功率至少提高了60mW。

和10Gbps外部調制器連接,傳輸距離超過100km的激光器,對于超長距離的光纖應用,能大幅度節(jié)約成本,因為在整個網絡系統(tǒng)中可以用更小的激光器件。

ML9XX37 DFB激光二極管的線寬非常小,不到1MHz,因此很適合用在DWDM中。該器件有40dB的邊模抑制比(SMSR),最大限度地減小脈沖信號的衰減。

制造商: Mini-Circuits

產品種類: 音頻變壓器/信號變壓器

RoHS: 詳細信息

產品: RF

類型: SMT Transformers

端接類型: SMD/SMT

頻率范圍: 10 MHz to 3000 MHz

初級線圈阻抗: 50 Ohms

次級線圈阻抗: 50 Ohms

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

通道數量: 1 Channel

封裝 / 箱體: 4.06 mm x 3.81 mm x 4.06 mm

長度: 4.06 mm

寬度: 3.81 mm

高度: 4.06 mm

系列: TCM2

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

最大直流電流: 30 mA

功率額定值: 0.4 W

商標: Mini-Circuits

產品類型: Audio & Signal Transformers

工廠包裝數量: 2000

子類別: Transformers

單位重量: 4.622 g


NIS3001面積僅為10.5 mm x 10.5 mm。因而,與單個SO-8驅動器配合兩個D2PAK或四個DPAK MOSFET的分立器件方法相比,它大幅縮小電路板空間占用達50%。

安森美半導體在電源密度上取得的這一突破,可使設計人員設計出電流密度達每平方英寸10安培的先進微處理器電源。

采用分立器件通常僅能獲得每平方英寸5安培的電流密度。這一領先技術也有助于大大節(jié)省電源在日漸縮小的電路板的占用空間。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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