增強(qiáng)型V2TM控制方式具有快速瞬態(tài)響應(yīng)(100納秒)和更低的抖動，從而將所需輸出電容器數(shù)量降到最低。輸出電壓是通過高精度的5位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)進(jìn)行設(shè)定，該數(shù)模轉(zhuǎn)換器可在0.8V至1.55V范圍內(nèi)編程。NCP5331完全支持快速電壓(VID)偏移的要求，允許處理器改變控制器輸出電壓，且不會產(chǎn)生不合規(guī)范的干擾。

可編程過流關(guān)斷定時器限制了陡變(hiccup)時間，可防止對MOSFET開關(guān)的潛在損害。

為配合NCP5331在AMD Athlon處理器上的應(yīng)用，功率MOSFET，即用于高邊的60Amp/28V NTD60N03開關(guān)和用于低邊的80Amp/24V NTD80N02開關(guān)。

高性能單端或差分放大器,10dB電壓增益,應(yīng)用頻率從DC到10.0GHz.放大器提供低參考輸入(RTI)噪音頻譜密度(NSD)2.24 nV/√Hz (1000 MHz),在寬頻率范圍有最佳的失真性能,使得器件非常適合驅(qū)動高速12位到16位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC).

ADL5580適合用在高性能零中頻(IF)和復(fù)雜IF接收器設(shè)計.

器件還具有低失真,以用于單端輸入驅(qū)動器應(yīng)用.器件的-3dB帶寬為10.0GHz,預(yù)設(shè)10dB增益,可用外接電阻來降低.

輻射容錯 DC-DC 轉(zhuǎn)換器電源模塊，該模塊采用 Vicor 最新電鍍 SM-ChiP™ 封裝。ChiP 可從 100V 的標(biāo)稱電源為高達(dá) 300 瓦的低電壓 ASIC 供電，其經(jīng)過波音公司測試，不僅能夠抵抗50 krad 電離總劑量，而且還具備抗單粒子干擾(single-event upsets)的功能。

憑借冗余架構(gòu)實現(xiàn)對單粒子干擾(single-event upsets)免疫，將兩個具有容錯控制 IC 的相同功率模塊并聯(lián)，封裝于高密度 SM-ChiP模塊中實現(xiàn)抗干擾功能。

先進(jìn)的通信衛(wèi)星要求具備高功率密度和低噪聲特性。

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