32引腳雙列直插封裝1G字節(jié)盤片解決方案
發(fā)布時間:2021/1/7 8:51:30 訪問次數(shù):907
32引腳雙列直插封裝(DIP)DiskOnChip 2000閃存盤片，其內(nèi)存擴展到1G字節(jié)。
DiskOnChip 2000是模塊式閃存盤片系列，具有TrueFFS閃存管理技術(shù)，體積小和固態(tài)運作等特點。
和其它1G字節(jié)盤片解決方案相比，M系統(tǒng)公司的1G字節(jié)DiskOnChip 2000閃存盤片，由于采用小型32引腳DIP插座，因而更加緊湊。
采用TrueFFS先進技術(shù)，DiskOnChip 2000具有高可靠性和消耗更低的功率。因和先前的DiskOnChip 2000產(chǎn)品引腳兼容，產(chǎn)品很容易升級。
大小:128 kB 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 長度:22.2 mm 程序存儲器類型:Flash 商標(biāo):STMicroelectronics 數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM 數(shù)據(jù) ROM 大小:512 B 接口類型:CAN, I2C, SPI, USART
產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators2500子類別:PMIC - Power Management ICs單位重量:1.035 g
1M位MRAM存儲器能消除電子設(shè)備中共同問題，如計算機和手機的上電慢，數(shù)據(jù)遺失，裝載數(shù)據(jù)長時間等待，電池壽命短等。
MRAM設(shè)計成允許所有的程序和數(shù)據(jù)保持在局部的存儲器，即使在電源關(guān)斷時。它也能期望消除手機開機時的延時。
一個晶體管(1T)和一個磁隧道結(jié)(MTJ)組成的1M位MRAM，其讀寫周期小于50ns。64K位X16位存儲器的設(shè)計是根據(jù)0.6umCMOS工藝，在200mm襯底用銅互連來制造。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
32引腳雙列直插封裝(DIP)DiskOnChip 2000閃存盤片，其內(nèi)存擴展到1G字節(jié)。
DiskOnChip 2000是模塊式閃存盤片系列，具有TrueFFS閃存管理技術(shù)，體積小和固態(tài)運作等特點。
和其它1G字節(jié)盤片解決方案相比，M系統(tǒng)公司的1G字節(jié)DiskOnChip 2000閃存盤片，由于采用小型32引腳DIP插座，因而更加緊湊。
采用TrueFFS先進技術(shù)，DiskOnChip 2000具有高可靠性和消耗更低的功率。因和先前的DiskOnChip 2000產(chǎn)品引腳兼容，產(chǎn)品很容易升級。
大小:128 kB 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 長度:22.2 mm 程序存儲器類型:Flash 商標(biāo):STMicroelectronics 數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM 數(shù)據(jù) ROM 大小:512 B 接口類型:CAN, I2C, SPI, USART
產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators2500子類別:PMIC - Power Management ICs單位重量:1.035 g
1M位MRAM存儲器能消除電子設(shè)備中共同問題，如計算機和手機的上電慢，數(shù)據(jù)遺失，裝載數(shù)據(jù)長時間等待，電池壽命短等。
MRAM設(shè)計成允許所有的程序和數(shù)據(jù)保持在局部的存儲器，即使在電源關(guān)斷時。它也能期望消除手機開機時的延時。
一個晶體管(1T)和一個磁隧道結(jié)(MTJ)組成的1M位MRAM，其讀寫周期小于50ns。64K位X16位存儲器的設(shè)計是根據(jù)0.6umCMOS工藝，在200mm襯底用銅互連來制造。
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