INT-A-Pak模塊的絕緣柵雙極晶體管IGBT開關
發(fā)布時間:2021/1/13 8:53:31 訪問次數:212
每個開關用兩個標準速度IGBT并聯做成，200A時的正向壓降為1.19V。
很低的飽和電壓是要用在導通損耗必須要盡可能低的地方，如TIG焊接機和在線UPS。兩個IGBT的柵極中的每一個柵極都是通過自身的控制端進行控制，允許單獨的柵極驅動。
快速周期隨機存取存儲器(FCRAM)TC59LM818DMB-30/33/40，有業(yè)界最快的隨機存取時間，低到20ns，比以前的產品，帶寬提高了66%,存取時間減少了20%。
電壓調節(jié)準確度:1.8 % 開發(fā)套件:ISL80103EVAL2Z 線路調整率:0.1 % 負載調節(jié):- 0.8 % 濕度敏感性:Yes 產品類型:LDO Voltage Regulators 工廠包裝數量1000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:22 mg
IAP開關模塊是用封裝在單一的INT-A-Pak模塊的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)開關做成，可帶或不帶并聯二極管。這種新的絕緣模塊，和分立的解決方案相比，更可靠，裝配成本更低和更加穩(wěn)定。
GA100TS60SQ是全絕緣半橋式�？�，用IR公司的標準速度IGBT做成，100A時的正向壓降為1.11V，有快速反向恢復QuietIR二極管。
輔助發(fā)射極端用來阻塞大輸出電流從驅動電路流入集電極-發(fā)射極，降低了開關能量和開關時間。GA200HS60S和 GA100TS60SQ相似，沒有二極管，額定電流250A。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
每個開關用兩個標準速度IGBT并聯做成，200A時的正向壓降為1.19V。
很低的飽和電壓是要用在導通損耗必須要盡可能低的地方，如TIG焊接機和在線UPS。兩個IGBT的柵極中的每一個柵極都是通過自身的控制端進行控制，允許單獨的柵極驅動。
快速周期隨機存取存儲器(FCRAM)TC59LM818DMB-30/33/40，有業(yè)界最快的隨機存取時間，低到20ns，比以前的產品，帶寬提高了66%,存取時間減少了20%。
電壓調節(jié)準確度:1.8 % 開發(fā)套件:ISL80103EVAL2Z 線路調整率:0.1 % 負載調節(jié):- 0.8 % 濕度敏感性:Yes 產品類型:LDO Voltage Regulators 工廠包裝數量1000 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:22 mg
IAP開關模塊是用封裝在單一的INT-A-Pak模塊的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)開關做成，可帶或不帶并聯二極管。這種新的絕緣模塊，和分立的解決方案相比，更可靠，裝配成本更低和更加穩(wěn)定。
GA100TS60SQ是全絕緣半橋式�？�，用IR公司的標準速度IGBT做成，100A時的正向壓降為1.11V，有快速反向恢復QuietIR二極管。
輔助發(fā)射極端用來阻塞大輸出電流從驅動電路流入集電極-發(fā)射極，降低了開關能量和開關時間。GA200HS60S和 GA100TS60SQ相似，沒有二極管，額定電流250A。
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公網安備44030402000607
