2兆位(Mb)高速異步SRAM，其功耗更低，存取時間更快，為8ns。這種新的2Mb高速SRAM，工作時消耗不到50mA的電流，等待時低于500uA。該產(chǎn)品很適合用在和DSP有關(guān)的產(chǎn)品中。

有X16和X8的選擇，IS61LV12816L和IS61LV2568L的工作電壓為3.3V,有工業(yè)溫度等級。

高速低功耗的特性使2Mb SRAM是高速互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用如WLAN，VOIP，交換，路由器，DSLAM以及通信應(yīng)用如機(jī)頂盒，線纜調(diào)制解調(diào)器，IP電話，GPS和DSL調(diào)制解調(diào)器的極好選擇。

IS61LV12816L和IS61LV2568L的封裝有44引腳的TSOPII，LQFP和48針的小型BGA三種。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V在25 C的連續(xù)集電極電流:28 A最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:EASY1B商標(biāo):Infineon Technologies柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:Screw工廠包裝數(shù)量:24

最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:1.25 W配置:Dual通道模式:Enhancement商標(biāo)名:TrenchFET封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel高度:1 mm 長度:2.1 mm 系列:SI1 晶體管類型:2 N-Channel 

由于產(chǎn)品走向市場的優(yōu)點，F(xiàn)PGA有定制產(chǎn)品和沒有前期成本以及不需要最少定貨量等的優(yōu)點。

帶有多個Nios嵌入處理器的Cyclone器件能使設(shè)計者實現(xiàn)降低成本的目標(biāo)，而不會犧牲系統(tǒng)的性能。Altera的Nios處理器的有效價格低于$2，32位Nios微處理器和外設(shè)配置不到1400LE，有50 D-MIPS(Dhrystone MIPS)。

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