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CPU電源線上28引腳的TSSOP和SO-8封裝

發(fā)布時(shí)間:2021/1/2 15:32:52 訪問次數(shù):889

輸出信號(hào)的相位關(guān)系可編程為2,3或4相操作。其它特性還包括精確度,可靠的短路保護(hù),可調(diào)電流限制以及延遲的電源良好輸出。

ADP3418提供接口和大電流驅(qū)動(dòng),以控制外接的功率MOSFET。它包括新的輸出不能功能,允許在CPU電源線上沒有負(fù)電壓尖峰時(shí)控制關(guān)斷。ADP3168和ADP3418工作在商業(yè)溫度0-+85度,分別是28引腳的TSSOP和SO-8封裝。

沒有它,由于頻率飄移而接收不到信號(hào)。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-263-7 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:522 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:750 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:305 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:375 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:StrongIRFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:4.4 mm 長度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:9.25 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:176 S 下降時(shí)間:93 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:79 ns 工廠包裝數(shù)量:800 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:161 ns 典型接通延遲時(shí)間:28 ns 單位重量:1.600 g

超級(jí)傳輸(HT)橋接芯片HT7520,在高達(dá)6.4G字節(jié)/秒的帶寬有800MHz DDR鏈接速度。該器件包括有工作在133Mhz的雙PCI-X總線,解決了I/O的瓶頸問題,增強(qiáng)了高速網(wǎng)絡(luò)的性能和連接性。

芯片的800MHz前端HT接口能使可配置的16位寬的通信路徑連到系統(tǒng)主機(jī),而后端HT接口提供可配置的8位寬的通信路徑連到下行設(shè)備。1.8V內(nèi)核電壓的芯片有3.3V PCI-X信號(hào)和1.2V連接信號(hào)。

除了支持IOAPIC模式,器件有多達(dá)12個(gè)可編程的中斷和一個(gè)先前中斷控制器。829引腳的OBGA封裝接橋芯片工作在商業(yè)溫度范圍。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

輸出信號(hào)的相位關(guān)系可編程為2,3或4相操作。其它特性還包括精確度,可靠的短路保護(hù),可調(diào)電流限制以及延遲的電源良好輸出。

ADP3418提供接口和大電流驅(qū)動(dòng),以控制外接的功率MOSFET。它包括新的輸出不能功能,允許在CPU電源線上沒有負(fù)電壓尖峰時(shí)控制關(guān)斷。ADP3168和ADP3418工作在商業(yè)溫度0-+85度,分別是28引腳的TSSOP和SO-8封裝。

沒有它,由于頻率飄移而接收不到信號(hào)。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-263-7 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:522 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:750 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:305 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:375 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:StrongIRFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:4.4 mm 長度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:9.25 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:176 S 下降時(shí)間:93 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:79 ns 工廠包裝數(shù)量:800 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:161 ns 典型接通延遲時(shí)間:28 ns 單位重量:1.600 g

超級(jí)傳輸(HT)橋接芯片HT7520,在高達(dá)6.4G字節(jié)/秒的帶寬有800MHz DDR鏈接速度。該器件包括有工作在133Mhz的雙PCI-X總線,解決了I/O的瓶頸問題,增強(qiáng)了高速網(wǎng)絡(luò)的性能和連接性。

芯片的800MHz前端HT接口能使可配置的16位寬的通信路徑連到系統(tǒng)主機(jī),而后端HT接口提供可配置的8位寬的通信路徑連到下行設(shè)備。1.8V內(nèi)核電壓的芯片有3.3V PCI-X信號(hào)和1.2V連接信號(hào)。

除了支持IOAPIC模式,器件有多達(dá)12個(gè)可編程的中斷和一個(gè)先前中斷控制器。829引腳的OBGA封裝接橋芯片工作在商業(yè)溫度范圍。


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