新型超小型SMT電流感應(yīng)變壓器PA0368
發(fā)布時(shí)間:2021/1/13 13:22:35 訪問(wèn)次數(shù):371
DDR存儲(chǔ)器控制器和DDR SDRAM存儲(chǔ)器之間接口,支持8位寬接口和用來(lái)并行處理數(shù)據(jù)總線寬度32/64/128位,支持X4,X8,X16和X32存儲(chǔ)器寬度。CW000701 DDR PHY 核每引腳高達(dá)400 Mbits/s
G12 (0.18 微米)
DDR存儲(chǔ)器控制器和DDR SDRAM存儲(chǔ)器之間接口,支持8位寬接口和用來(lái)并行處理數(shù)據(jù)總線寬度32/64/128位,支持X4,X8,X16和X32存儲(chǔ)器寬度。多端口DDR存儲(chǔ)器控制器高達(dá) 333 Mbits/sGflx (0.11 微米), G12 (0.18 微米)高達(dá)8個(gè)可配置32/64位AHB端口。
制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8通道數(shù)量:2 Channel電源電壓-最大:5.5 VGBP-增益帶寬產(chǎn)品:1 MHzSR - 轉(zhuǎn)換速率 :1.7 V/ÂμsVos - 輸入偏置電壓 :1 mV
輸入偏置電流 :3 pA濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 電源抑制比:100 dB2500子類別:Amplifier ICsVcm - 共模電壓:Negative Rail - 0.1 V to Positive Rail + 0.1 V
新型超小型SMT電流感應(yīng)變壓器PA0368,高度為3.3mm,占位面積為8.38mmx8.38mm,可用在通信和數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)以及工業(yè)控制系統(tǒng)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器的反饋控制回路。由于它的獨(dú)特的環(huán)形的結(jié)構(gòu),形成一個(gè)閉合磁場(chǎng),保證低的電磁干擾(EMI)。
主要的技術(shù)性能有:PA0368系列的變比為1:50, 70, 80, 100, 125,初級(jí)直流電阻(DCR)為4毫歐姆。在整個(gè)-40到130度的溫度范圍內(nèi)有穩(wěn)定性能和最小飄移。電感的工作頻率為50KHz 到500KHz。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
DDR存儲(chǔ)器控制器和DDR SDRAM存儲(chǔ)器之間接口,支持8位寬接口和用來(lái)并行處理數(shù)據(jù)總線寬度32/64/128位,支持X4,X8,X16和X32存儲(chǔ)器寬度。CW000701 DDR PHY 核每引腳高達(dá)400 Mbits/s
G12 (0.18 微米)
DDR存儲(chǔ)器控制器和DDR SDRAM存儲(chǔ)器之間接口,支持8位寬接口和用來(lái)并行處理數(shù)據(jù)總線寬度32/64/128位,支持X4,X8,X16和X32存儲(chǔ)器寬度。多端口DDR存儲(chǔ)器控制器高達(dá) 333 Mbits/sGflx (0.11 微米), G12 (0.18 微米)高達(dá)8個(gè)可配置32/64位AHB端口。
制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8通道數(shù)量:2 Channel電源電壓-最大:5.5 VGBP-增益帶寬產(chǎn)品:1 MHzSR - 轉(zhuǎn)換速率 :1.7 V/ÂμsVos - 輸入偏置電壓 :1 mV
輸入偏置電流 :3 pA濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 電源抑制比:100 dB2500子類別:Amplifier ICsVcm - 共模電壓:Negative Rail - 0.1 V to Positive Rail + 0.1 V
新型超小型SMT電流感應(yīng)變壓器PA0368,高度為3.3mm,占位面積為8.38mmx8.38mm,可用在通信和數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)以及工業(yè)控制系統(tǒng)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器的反饋控制回路。由于它的獨(dú)特的環(huán)形的結(jié)構(gòu),形成一個(gè)閉合磁場(chǎng),保證低的電磁干擾(EMI)。
主要的技術(shù)性能有:PA0368系列的變比為1:50, 70, 80, 100, 125,初級(jí)直流電阻(DCR)為4毫歐姆。在整個(gè)-40到130度的溫度范圍內(nèi)有穩(wěn)定性能和最小飄移。電感的工作頻率為50KHz 到500KHz。

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