MC100EP196接受射極耦合邏輯(ECL)、互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)和晶體管對(duì)晶體管邏輯電路(TTL)，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可直接以微控制器對(duì)MC100EP196編程，無(wú)須采用特定的編程電路。MC100EP196與 PECL或NECL模式的正負(fù)參考低電壓3.0至3.6伏系統(tǒng)均兼容。

ISSI的MCP解決方案能理想地用在需要高性能低功耗和小占位尺寸的地方，如移動(dòng)手機(jī)，PDA，手持個(gè)人計(jì)算機(jī)，全球定位系統(tǒng)(GPS)，無(wú)線調(diào)制解調(diào)器，雙向?qū)ず魴C(jī)以及手持工業(yè)數(shù)字設(shè)備。兩種器件都是65引腳的BGA封裝。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:LVDS 接口集成電路 RoHS:N 類型:LVDS 激勵(lì)器數(shù)量:4 Driver 接收機(jī)數(shù)量:4 Receiver 數(shù)據(jù)速率:155.5 Mb/s 輸入類型:CMOS, TTL 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-16 Narrow 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:9.91 mm 寬度:3.91 mm 商標(biāo):Texas Instruments 最大輸出電壓:450 mV 工作電源電壓:5 V Pd-功率耗散:1.068 W 產(chǎn)品類型:LVDS Interface IC 傳播延遲時(shí)間:3 ns 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:Interface ICs 單位重量:547.500 mg

NOR閃存和假SRAM組合在一個(gè)封裝的MCP 器件IS75V16F64GS16 和 IS75V16F64GS32。這些新產(chǎn)品有高密度隨機(jī)存取存儲(chǔ)器16M位或32M位的假SRAM(PSRAM)和64M位閃存。

PSRAM解決方案比等效的六晶體管SRAM成本更低。這和模塊提高空間效率一起，使閃存和假SRAM 封在一起的MCP，非常適合用在需要高性能和低功耗的移動(dòng)領(lǐng)域。

PSRAM技術(shù)采用有簡(jiǎn)便SRAM I/O接口的單元DRAM核，因而有更高的密度，每位功耗更低，芯片面積更小。PSRAM用作緩沖器和工作存儲(chǔ)器，而NOD閃存則存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，操作代碼和各種的通信協(xié)議。

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