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振蕩器頻率內(nèi)部調(diào)整275KHz絕緣式回掃轉(zhuǎn)換器

發(fā)布時(shí)間:2021/1/15 18:57:56 訪問次數(shù):274

MAX5014/MAX5015輸入電壓從12V到110V,包括用于起動(dòng)的高壓前置調(diào)節(jié)器。起動(dòng)以后,器件的電源由變壓器的低壓繞組來得到。MAX5014工作在最大占空比為85%,推薦用作絕緣式回掃轉(zhuǎn)換器,輸出功率高達(dá)20W。

控制器的其它特性包括電流模式控制,前沿回掃空白,關(guān)斷,軟起動(dòng),過流關(guān)斷,欠壓鎖住和熱關(guān)斷。振蕩器頻率有內(nèi)部調(diào)整為275KHz,允許使用表面安裝的元件。

為了加速設(shè)計(jì),可提供全部測(cè)試過的50W絕緣電源評(píng)估工具,標(biāo)準(zhǔn)的半磚模塊占位和出腳。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-323-3 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 60 V 集電極—基極電壓 VCBO:- 60 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V 集電極—射極飽和電壓:- 1.6 V 最大直流電集電極電流:0.6 A Pd-功率耗散:200 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:200 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:300 高度:0.8 mm 長度:2 mm 技術(shù):Si 寬度:1.25 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 集電極連續(xù)電流:- 0.6 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:50 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 3000 子類別:Transistors 零件號(hào)別名:UMT2907A 單位重量:5 mg

高性能有集成的閃存的微控制器(MCU)和數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)功能的嵌入式系統(tǒng)的混合內(nèi)核56800E。Motorola把新型56800E混合內(nèi)核的性能和56800系列結(jié)合起來,以滿足日益增長的更高性能內(nèi)核和嵌入式閃存的需求。

這種結(jié)合將會(huì)為Motorola現(xiàn)在的8位和16位MCU用戶提供自然的升級(jí)途經(jīng),以滿足更多的處理能力。

基于閃存的56800E器件,稱作56F83x系列,能用來設(shè)計(jì)汽車電子,儀表和工業(yè)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,包括電功率輔助操縱,數(shù)據(jù)采集設(shè)備和工廠自動(dòng)化。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


MAX5014/MAX5015輸入電壓從12V到110V,包括用于起動(dòng)的高壓前置調(diào)節(jié)器。起動(dòng)以后,器件的電源由變壓器的低壓繞組來得到。MAX5014工作在最大占空比為85%,推薦用作絕緣式回掃轉(zhuǎn)換器,輸出功率高達(dá)20W。

控制器的其它特性包括電流模式控制,前沿回掃空白,關(guān)斷,軟起動(dòng),過流關(guān)斷,欠壓鎖住和熱關(guān)斷。振蕩器頻率有內(nèi)部調(diào)整為275KHz,允許使用表面安裝的元件。

為了加速設(shè)計(jì),可提供全部測(cè)試過的50W絕緣電源評(píng)估工具,標(biāo)準(zhǔn)的半磚模塊占位和出腳。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-323-3 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 60 V 集電極—基極電壓 VCBO:- 60 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V 集電極—射極飽和電壓:- 1.6 V 最大直流電集電極電流:0.6 A Pd-功率耗散:200 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:200 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:300 高度:0.8 mm 長度:2 mm 技術(shù):Si 寬度:1.25 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 集電極連續(xù)電流:- 0.6 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:50 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 3000 子類別:Transistors 零件號(hào)別名:UMT2907A 單位重量:5 mg

高性能有集成的閃存的微控制器(MCU)和數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)功能的嵌入式系統(tǒng)的混合內(nèi)核56800E。Motorola把新型56800E混合內(nèi)核的性能和56800系列結(jié)合起來,以滿足日益增長的更高性能內(nèi)核和嵌入式閃存的需求。

這種結(jié)合將會(huì)為Motorola現(xiàn)在的8位和16位MCU用戶提供自然的升級(jí)途經(jīng),以滿足更多的處理能力。

基于閃存的56800E器件,稱作56F83x系列,能用來設(shè)計(jì)汽車電子,儀表和工業(yè)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,包括電功率輔助操縱,數(shù)據(jù)采集設(shè)備和工廠自動(dòng)化。

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