兩款新芯片開發(fā)新產(chǎn)品，半導(dǎo)體將可確立其在手機以至其他產(chǎn)品市場上的領(lǐng)導(dǎo)地位。采用較少元件的設(shè)計以及更精簡的生產(chǎn)工序日漸受到廠商的重視。

放大器可直接裝設(shè)于駐極體電容器麥克風(fēng)之內(nèi)，因此我們可以充分利用這個優(yōu)點，開發(fā)更高靈敏度的麥克風(fēng)，以便大幅提高移動電話及其他通信設(shè)備的音響效果。

我們必須小心設(shè)計電路板，再加上其他必要濾波元件的配合，才可充分發(fā)揮麥克風(fēng)的性能。放大器芯片都因為封裝過大而無法內(nèi)置于體積日趨小型化的駐極體電容器麥克風(fēng)內(nèi)。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV Id-連續(xù)漏極電流:6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.4 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Qg-柵極電荷:34 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 商標:STMicroelectronics 下降時間:32 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:12 ns 1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:58 ns 典型接通延遲時間:30 ns 單位重量:330 mg

新的封裝TESQ，比標準的4引腳SOT-343表面安裝封裝還小34%，使用在手機，無線PDA和無線局域網(wǎng)(WLAN)的低噪音放大器(LNA)和壓控振蕩器有更高的增益。

東芝的低噪音MT4S100T和高增益MT4S101T晶體管的TESQ封裝，尺寸只有1.2mm x 1.2mmx0.52mm。MT4S101T很理想地用在WLAN中5.2GHz LNA。

鍺硅技術(shù)由于結(jié)合了硅和鍺的電特性，因而有很低的噪音和高增益。這類鍺硅器件有低功耗的特性，很適合用在移動和無線電話以及PDA。

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