標準的CMOS邏輯工藝生產(chǎn)出64M位鐵電RAM(FRAM)芯片，能代替各種應(yīng)用的嵌入式閃存和嵌入式DRAM。同一芯片上有嵌入式存儲器和處理器，外設(shè)和其它元件將會降低元件數(shù)量和系統(tǒng)復(fù)雜性，增加系統(tǒng)性能和數(shù)據(jù)安全。

FRAM比其它的嵌入式存儲器的制造成本低，功耗也低。

FRAM結(jié)合了易揮發(fā)的DRAM的快速存取和低功耗的特點，能夠在停電時保存數(shù)據(jù)。其它非揮發(fā)的存儲器如EEPROM和閃存則更貴，因為需要更多的掩模工序，更長的寫入時間和更多的寫入功率。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管 技術(shù):Si 封裝 / 箱體:TO-247-3 安裝風(fēng)格:Through Hole 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V 集電極—射極飽和電壓:2.05 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:50 A Pd-功率耗散:326 W 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 封裝:Tube 商標:Infineon Technologies 柵極—射極漏泄電流:600 nA 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors 240 子類別:IGBTs 商標名: 零件號別名:IKW25N120H3 SP000674418 單位重量:5.420 g

IBM的SiGe芯片用現(xiàn)有的生產(chǎn)線制造，能以最小的成本迅速引用新技術(shù)。這使得SiGe技術(shù)擴展了性能，延長了手機和RF通信產(chǎn)品的電池壽命。

100MHz時，100歐姆負載的1Vpp信號包絡(luò)，其三階互調(diào)失真(IMD3)為-90dBc。

LPT-11鏈接功率收發(fā)器和FT 3120/FT 3150智能收發(fā)器兼容，在同一網(wǎng)絡(luò)能互相通信。

這種能力為節(jié)點提供了不貴的界面方式，該節(jié)點的電流或電壓要求超過了鏈接功率部件的能力。

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