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芯片速度采用專利的時(shí)序安排技術(shù)來(lái)獲得優(yōu)先支持單獨(dú)通信量

發(fā)布時(shí)間:2023/12/30 23:52:25 訪問(wèn)次數(shù):66

集總速度80Gbps單片網(wǎng)絡(luò)交換芯片PI-40SAX，能進(jìn)行業(yè)界最快的語(yǔ)音，數(shù)據(jù)和視頻交換。該芯片能使電訊網(wǎng)絡(luò)同時(shí)交換320000個(gè)語(yǔ)音和數(shù)據(jù)呼叫。

PI-40SAX交換速率比同類的單片交換芯片至少快四倍，保證最低速度和帶寬為40Gbps，投資效果或性能比同類產(chǎn)品高三倍，因?yàn)橐_(dá)到同等性能需要三個(gè)或多個(gè)芯片。

該芯片的速度采用專利的時(shí)序安排技術(shù)來(lái)獲得，芯片優(yōu)先支持單獨(dú)通信量。封裝為1788針的FCBGA封裝，尺寸為45x45mm,1mm焊球間隔。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管 技術(shù):Si 封裝 / 箱體:TO-247-3 安裝風(fēng)格:Through Hole 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V 集電極—射極飽和電壓:2.05 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:30 A Pd-功率耗散:217 W 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 封裝:Tube 商標(biāo):Infineon Technologies 柵極—射極漏泄電流:600 nA 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors 240 子類別:IGBTs 商標(biāo)名: 零件號(hào)別名:SP000674422 IKW15N12H3XK IKW15N120H3FKSA1 單位重量:38 g

檢測(cè)元件間距大約為42.3微米，每個(gè)芯片的外形尺寸為14560X380微米，芯片的一致性為+/-7.5%,5V工作電壓下的電流為4mA，時(shí)鐘速度為2MHz。

BD48XXG和BD49XXG CMOS 重置IC能以CMOS或N-MOS漏極開(kāi)路輸出和從-0.3V到10V間的電源供電。

新型高性能超小型CMOS重置電路BD48XXG和BD49XXG.

電壓檢測(cè)精度為±1.5%，消耗的電流卻比同樣封裝尺寸的前期產(chǎn)品小一半。


TPS78501QWDRBRQ1

集總速度80Gbps單片網(wǎng)絡(luò)交換芯片PI-40SAX，能進(jìn)行業(yè)界最快的語(yǔ)音，數(shù)據(jù)和視頻交換。該芯片能使電訊網(wǎng)絡(luò)同時(shí)交換320000個(gè)語(yǔ)音和數(shù)據(jù)呼叫。

PI-40SAX交換速率比同類的單片交換芯片至少快四倍，保證最低速度和帶寬為40Gbps，投資效果或性能比同類產(chǎn)品高三倍，因?yàn)橐_(dá)到同等性能需要三個(gè)或多個(gè)芯片。

該芯片的速度采用專利的時(shí)序安排技術(shù)來(lái)獲得，芯片優(yōu)先支持單獨(dú)通信量。封裝為1788針的FCBGA封裝，尺寸為45x45mm,1mm焊球間隔。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管 技術(shù):Si 封裝 / 箱體:TO-247-3 安裝風(fēng)格:Through Hole 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V 集電極—射極飽和電壓:2.05 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:30 A Pd-功率耗散:217 W 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 封裝:Tube 商標(biāo):Infineon Technologies 柵極—射極漏泄電流:600 nA 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors 240 子類別:IGBTs 商標(biāo)名: 零件號(hào)別名:SP000674422 IKW15N12H3XK IKW15N120H3FKSA1 單位重量:38 g

檢測(cè)元件間距大約為42.3微米，每個(gè)芯片的外形尺寸為14560X380微米，芯片的一致性為+/-7.5%,5V工作電壓下的電流為4mA，時(shí)鐘速度為2MHz。

BD48XXG和BD49XXG CMOS 重置IC能以CMOS或N-MOS漏極開(kāi)路輸出和從-0.3V到10V間的電源供電。

新型高性能超小型CMOS重置電路BD48XXG和BD49XXG.

電壓檢測(cè)精度為±1.5%，消耗的電流卻比同樣封裝尺寸的前期產(chǎn)品小一半。


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