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8歐姆揚(yáng)聲器1.0W連續(xù)RMS均方值功率的模塊

發(fā)布時(shí)間:2021/1/17 21:52:58 訪問(wèn)次數(shù):244

新型微型SO8封裝1WCMOS功率放大器FAN7023,用于手機(jī),PDA和手提音頻系統(tǒng)。

FAN7023是單聲道功率放大器,有節(jié)省空間的微型SO-8和SO-8兩種封裝。工作電壓5V時(shí),能向8歐姆揚(yáng)聲器提供1.0W連續(xù)RMS(均方值)功率,典型的總失真加噪音(THD+N)為0.1%。

FAN7023能工作在2.2V到5.5V,其超級(jí)THD和PSRR(電源抑制比,典型值65dB)特性保證了高性能輸出。由于低工作電流特性和關(guān)斷特性以及關(guān)斷時(shí)的電流(0.1uA),F(xiàn)AN7023很適合用在以電池為能源的需要省電和長(zhǎng)電池壽命的手提設(shè)備。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類(lèi):雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SM-8 晶體管極性:NPN, PNP 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V, 40 V 集電極—基極電壓 VCBO:45 V, 50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:500 mV 最大直流電集電極電流:2 A Pd-功率耗散:2.75 W 

商標(biāo):Diodes Incorporated 集電極連續(xù)電流:2 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:500 at 100 mA, 2 V at NPN, 400 at 1 A, 2 V at NPN, 150 at 2 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 250 at 500 mA, 2 V at PNP, 200 at 1 A, 2 V at PNP, 150 at 2 A, 2 V at PNP 產(chǎn)品類(lèi)型:BJTs - Bipolar Transistors 1000 子類(lèi)別:Transistors 單位重量:117 g

16位閃存微控制器MC9S12B系列,引腳上完全兼容,使用戶(hù)能在不同存儲(chǔ)器和外設(shè)間選擇,進(jìn)行可升級(jí)的設(shè)計(jì)。該器件用于汽車(chē)電子多路技術(shù)應(yīng)用中。

MC9S12B128的標(biāo)準(zhǔn)片上外設(shè)接口有16位CPU(CPU12),128KB閃存EEPROM,4KB RAM,1KB EEPROM,兩個(gè)異步串行通信接口(SCI),串行外設(shè)接口(SPI),輸入捕獲/輸出比較計(jì)時(shí)器(TIM),16通道10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),8通道脈寬調(diào)制器(PWM)和一個(gè)CAN 2.0 A,B軟件兼容的模塊(MSCAN12)。

系統(tǒng)資源變換,時(shí)鐘產(chǎn)生,中斷控制和總線接口有輕型集成?(LIM)來(lái)管理。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

新型微型SO8封裝1WCMOS功率放大器FAN7023,用于手機(jī),PDA和手提音頻系統(tǒng)。

FAN7023是單聲道功率放大器,有節(jié)省空間的微型SO-8和SO-8兩種封裝。工作電壓5V時(shí),能向8歐姆揚(yáng)聲器提供1.0W連續(xù)RMS(均方值)功率,典型的總失真加噪音(THD+N)為0.1%。

FAN7023能工作在2.2V到5.5V,其超級(jí)THD和PSRR(電源抑制比,典型值65dB)特性保證了高性能輸出。由于低工作電流特性和關(guān)斷特性以及關(guān)斷時(shí)的電流(0.1uA),F(xiàn)AN7023很適合用在以電池為能源的需要省電和長(zhǎng)電池壽命的手提設(shè)備。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類(lèi):雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SM-8 晶體管極性:NPN, PNP 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:45 V, 40 V 集電極—基極電壓 VCBO:45 V, 50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:500 mV 最大直流電集電極電流:2 A Pd-功率耗散:2.75 W 

商標(biāo):Diodes Incorporated 集電極連續(xù)電流:2 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:500 at 100 mA, 2 V at NPN, 400 at 1 A, 2 V at NPN, 150 at 2 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 250 at 500 mA, 2 V at PNP, 200 at 1 A, 2 V at PNP, 150 at 2 A, 2 V at PNP 產(chǎn)品類(lèi)型:BJTs - Bipolar Transistors 1000 子類(lèi)別:Transistors 單位重量:117 g

16位閃存微控制器MC9S12B系列,引腳上完全兼容,使用戶(hù)能在不同存儲(chǔ)器和外設(shè)間選擇,進(jìn)行可升級(jí)的設(shè)計(jì)。該器件用于汽車(chē)電子多路技術(shù)應(yīng)用中。

MC9S12B128的標(biāo)準(zhǔn)片上外設(shè)接口有16位CPU(CPU12),128KB閃存EEPROM,4KB RAM,1KB EEPROM,兩個(gè)異步串行通信接口(SCI),串行外設(shè)接口(SPI),輸入捕獲/輸出比較計(jì)時(shí)器(TIM),16通道10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),8通道脈寬調(diào)制器(PWM)和一個(gè)CAN 2.0 A,B軟件兼容的模塊(MSCAN12)。

系統(tǒng)資源變換,時(shí)鐘產(chǎn)生,中斷控制和總線接口有輕型集成模快(LIM)來(lái)管理。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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