MC9S12B系列有全16位數(shù)據(jù)通道，外部總線工作在8位窄模式，所以單個(gè)8位寬的存儲(chǔ)器能和低成本系統(tǒng)接口。所包括的PLL電路允許功耗和性能可被調(diào)整到適合的工作條件。此外，每個(gè)模塊中的附加I/O口，多達(dá)22個(gè)I/O口，具有能從停止模式或等待模式中喚醒的功能。

它也可代替晶體，用作實(shí)時(shí)時(shí)鐘的輸入時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器以及在EM 微控制器中驅(qū)動(dòng)外接時(shí)鐘。微控制器制造商也能把它加在一個(gè)電路中。

EM7602在3V時(shí)有低功耗，典型值為6 μA，熱補(bǔ)償?shù)臏仄癁?0.012 ppm/C2。

制造商:Microchip產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:N技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-254AA-3商標(biāo):Microchip / Microsemi產(chǎn)品類型:MOSFET100子類別:MOSFETs單位重量:300 mg

增益帶寬產(chǎn)品fT:150 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:500 高度:1.6 mm 長(zhǎng)度:6.7 mm 技術(shù):Si 寬度:3.7 mm

1Gbps DDR-I SDRAM存儲(chǔ)器給它的主要客戶，支持下一代圖像處理芯片組。這種高速DDR-I SDRAM 產(chǎn)品，是業(yè)界第一個(gè)速度為500MHz（1Gbps）,32位寬I/O口和144針FBGA封裝的產(chǎn)品。它支持臺(tái)式計(jì)算機(jī)，工作站圖像，交換和路由器的高速度應(yīng)用。

這種新產(chǎn)品是DDR-I產(chǎn)品線中速度最高的，和DDR-I板兼容。Hynix公司預(yù)測(cè)，速度，兼容性和估計(jì)成本都比DDR-II好10%，很快會(huì)被圖像和網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)業(yè)所接受。

在盡可能低的價(jià)格提供最高的性能，是區(qū)分終端產(chǎn)品的關(guān)鍵。500MHz的DDR-I能做到這一點(diǎn)。