用在IBM高容量移動(dòng)硬盤驅(qū)動(dòng)器讀通道集成電路MS55X，能改善驅(qū)動(dòng)器的存儲(chǔ)容量，降低功耗，使手提設(shè)備產(chǎn)品如筆記本電腦和MP3播放器等受益。

IBM把Agere公司的MS55X用在Travelstar高容量硬盤驅(qū)動(dòng)器生產(chǎn)線，包括業(yè)界第一個(gè)用于便攜式電腦和其它移動(dòng)設(shè)備的80GB數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的驅(qū)動(dòng)盤。

IDC估計(jì)，移動(dòng)級(jí)硬盤驅(qū)動(dòng)的市場(chǎng)在2006年將會(huì)達(dá)到$80，年增長(zhǎng)率接近30%。移動(dòng)級(jí)器件在2006年將會(huì)大約占到總硬盤驅(qū)動(dòng)出貨量的1/3。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFET技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SMD-1-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100 VId-連續(xù)漏極電流:31 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:60 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:125 W通道模式:Enhancement配置:Single高度:3.58 mm長(zhǎng)度:16 mm晶體管類型:1 P-Channel寬度:11.55 mm商標(biāo):Infineon / IR下降時(shí)間:116 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:150 ns子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:103 ns典型接通延遲時(shí)間:28 ns

這些測(cè)試和評(píng)估工具允許用戶能像IBM那樣快速優(yōu)化Agere的讀通道IC，在他們的硬盤驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中得到最大的性能和可靠性，加快產(chǎn)品走向市場(chǎng)。

采用讀通道和SoC解決方案，Agere存儲(chǔ)IC包括有硬盤驅(qū)動(dòng)控制器，馬達(dá)控制器和前置放大器。MS55X是采用COM2H CMOS工藝制造，低成本的64引腳TQFP封裝，已經(jīng)大量供貨給IBM。

MGA-545P8是業(yè)界最低電流的功率放大器，采用Agilent的0.5微米柵長(zhǎng)度E-pHEMT工藝指制造。3.3V的工作電為92mA，飽和輸出功率為22dBm，很高的功率附加效率(PAE)為46%。

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