14位25Mbps模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)LTC1745和LTC1746
發(fā)布時間:2021/1/21 20:17:45 訪問次數(shù):502
14位25Mbps模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)LTC1745和LTC1746,它能節(jié)省功率和能數(shù)字化高頻信號。
這兩種產(chǎn)品的信噪比(SNR)為77.5dB,無毛刺動態(tài)范圍(SFDR)為 99dB,LTC的功耗只有390mW。此外,該公司還推出引腳兼容的12位25Mbps的ADC LTC1745,SNR為72.5dB,SDFR 為96dB。
兩種器件的輸入范圍允許專用的動態(tài)范圍可優(yōu)化在±1V 到±1.6V。如果輸入信號超出范圍,在過流引腳會有顯示。
此外也提供獨立的輸出電源引腳,能連接到任何的CMOS邏輯電平系列產(chǎn)品。
制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:CDIP-8 通道數(shù)量:2 Channel 電源電壓-最大:32 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:700 kHz 每個通道的輸出電流:30 mA SR - 轉(zhuǎn)換速率 :0.3 V/us Vos - 輸入偏置電壓 :5 mV 電源電壓-最小:3 V 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 125 C Ib - 輸入偏流:150 nA 工作電源電流:350 uA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB to 80 dB en - 輸入電壓噪聲密度:40 nV/sqrt Hz 封裝:Tube 放大器類型:High Gain Amplifier 高度:4.57 mm 輸入類型:Rail-to-Rail 長度:9.6 mm 電源類型:Single, Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:6.67 mm 商標(biāo):Texas Instruments 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大雙重電源電壓:+/- 16 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:32 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers 工廠包裝數(shù)量1 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 電壓增益 dB:100 dB
單一的氧化物缺陷不會導(dǎo)致像在傳統(tǒng)浮置柵非易失性存儲器中那樣的電荷完全損失。硅納米晶體存儲器是潛在產(chǎn)品能替代傳統(tǒng)的閃存,它廣泛應(yīng)用在汽車電子,家用電器,無線設(shè)備和工業(yè)控制。
閃存允許制造商存儲軟件代碼和數(shù)據(jù)。這種靈活性允許制造商在開發(fā)階段能經(jīng)常重新編程微控制器或在現(xiàn)場存儲控制器的數(shù)據(jù)。
它能很快適應(yīng)快速變化的市場需要,或在現(xiàn)場遙控修改有問題的軟件,能增加可靠性和可量測性.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
14位25Mbps模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)LTC1745和LTC1746,它能節(jié)省功率和能數(shù)字化高頻信號。
這兩種產(chǎn)品的信噪比(SNR)為77.5dB,無毛刺動態(tài)范圍(SFDR)為 99dB,LTC的功耗只有390mW。此外,該公司還推出引腳兼容的12位25Mbps的ADC LTC1745,SNR為72.5dB,SDFR 為96dB。
兩種器件的輸入范圍允許專用的動態(tài)范圍可優(yōu)化在±1V 到±1.6V。如果輸入信號超出范圍,在過流引腳會有顯示。
此外也提供獨立的輸出電源引腳,能連接到任何的CMOS邏輯電平系列產(chǎn)品。
制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:CDIP-8 通道數(shù)量:2 Channel 電源電壓-最大:32 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:700 kHz 每個通道的輸出電流:30 mA SR - 轉(zhuǎn)換速率 :0.3 V/us Vos - 輸入偏置電壓 :5 mV 電源電壓-最小:3 V 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 125 C Ib - 輸入偏流:150 nA 工作電源電流:350 uA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB to 80 dB en - 輸入電壓噪聲密度:40 nV/sqrt Hz 封裝:Tube 放大器類型:High Gain Amplifier 高度:4.57 mm 輸入類型:Rail-to-Rail 長度:9.6 mm 電源類型:Single, Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:6.67 mm 商標(biāo):Texas Instruments 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大雙重電源電壓:+/- 16 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:32 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers 工廠包裝數(shù)量1 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 電壓增益 dB:100 dB
單一的氧化物缺陷不會導(dǎo)致像在傳統(tǒng)浮置柵非易失性存儲器中那樣的電荷完全損失。硅納米晶體存儲器是潛在產(chǎn)品能替代傳統(tǒng)的閃存,它廣泛應(yīng)用在汽車電子,家用電器,無線設(shè)備和工業(yè)控制。
閃存允許制造商存儲軟件代碼和數(shù)據(jù)。這種靈活性允許制造商在開發(fā)階段能經(jīng)常重新編程微控制器或在現(xiàn)場存儲控制器的數(shù)據(jù)。
它能很快適應(yīng)快速變化的市場需要,或在現(xiàn)場遙控修改有問題的軟件,能增加可靠性和可量測性.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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