驍龍888的小米11性能提升有限，功耗直接上升。

驍龍888的代工廠三星的5nm工藝制程的不成熟，由此以來三星自己的兩款5nm芯片也面臨“翻車”風險。

芯片的晶體管數(shù)量每隔18個月翻一番，性能也將提升一倍，但晶體管的微縮越來越難，如今在從7nm到5nm的推進中，手機芯片的表現(xiàn)似乎并不盡人意，不僅在性能提升方面受限，功耗也“翻車”，面臨先進制程性價比上的尷尬。

集成電路的功耗可以分為動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。

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最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 關閉:No Shutdown 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-14 封裝:Reel 放大器類型:Low Power Amplifier 輸入類型:Differential 產(chǎn)品:Precision Amplifiers 技術:Bipolar 商標:Renesas / Intersil THD + 噪聲:0.0009 % In—輸入噪聲電流密度:0.1 pA/sqrt Hz Ios - 輸入偏置電流 :0.08 nA 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:Precision Amplifiers PSRR - 電源抑制比:145 dB

在電流不變的情況下，單個場效應管的功率也變小。單位面積內晶體管數(shù)目倍速增長又提升靜態(tài)功耗，因此最終單位面積內的靜態(tài)功耗可能保持不變。

用更小面積的芯片承載更多的晶體管，看似是達成了制程越先進，芯片性能越好，功耗越低。但實際情況往往復雜得多，為提升芯片整體性能，有人增加核心，有人設計更復雜的電路，隨之而來的是更多的路徑刺激功耗增長，又需要新的方法來平衡功耗。

對芯片行業(yè)影響重大的FinFET就是平衡芯片性能與功耗的方法之一.

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