根據(jù)臺積電3nm制程的進(jìn)度，預(yù)計(jì)將在2021年試產(chǎn)，在2022年下半年進(jìn)入量產(chǎn)，幫助英特爾代工3nm處理器芯片。

三星也曾對外稱其3nm GAA的成本可能會(huì)超過5億美元，預(yù)期在2022年大規(guī)模生產(chǎn)采用比FinFET更為先進(jìn)的GAAFET 3nm制程芯片。

回歸到5nm移動(dòng)處理器的實(shí)際情況，無論是出自哪家廠商的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)，均面臨性能和功耗方面的問題，5nm芯片似乎還未成熟，3nm量產(chǎn)就要今年開始試產(chǎn)。越來越趨于摩爾定律極限的3nm.

最大工作溫度:+ 85 C Ib - 輸入偏流:60 pA 工作電源電流:13 uA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB to 83 dB en - 輸入電壓噪聲密度:72 nV/sqrt Hz 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:Low Power Amplifier 特點(diǎn):High Cload Drive 高度:1.15 mm 輸入類型:Rail-to-Rail 長度:2.9 mm 輸出類型:Rail-to-Rail 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類型:Single, Dual 技術(shù):LinCMOS 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Texas Instruments 

英特爾和IBM的芯片工藝發(fā)展中可以看出，在工藝制程從180nm到45nm的演進(jìn)過程中，晶體管集成度增速不同，動(dòng)態(tài)功耗或增加或減少，但靜態(tài)功耗一直呈上升趨勢， 45nm時(shí)，靜態(tài)功耗幾乎與動(dòng)態(tài)功耗持平。

盡管一些設(shè)計(jì)廠商寧愿在降低功耗上做出犧牲也要提升性能，但也不得不面對高功耗帶來的負(fù)面影響。

對于用戶而言，設(shè)備發(fā)熱嚴(yán)重以及耗電嚴(yán)重是高功耗帶來的直接影響，如果芯片散熱不好，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯片異常甚至失效。

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