2.5Gbps/OC-48c口集總成10Gbps/OC-192c的速率向上傳輸
發(fā)布時(shí)間:2021/1/25 13:24:19 訪問(wèn)次數(shù):311
它能以10Gbps(一片)或20Gbps(二片)全雙工交換結(jié)構(gòu)進(jìn)行工作，提供高達(dá)8個(gè)2.5Gbps/OC-48C交換口，或四個(gè)2.5Gbps/OC-48c口，集總成10Gbps/OC-192c的速率向上傳輸。
用作線路卡接口連接到交換結(jié)構(gòu)，支持四個(gè)網(wǎng)絡(luò)2.5Gbps/OC-48C網(wǎng)絡(luò)處理器或一個(gè)10Gbps/OC-192C網(wǎng)絡(luò)處理器，使用于10-20Gbps登錄平臺(tái)的交換/適配卡能用作機(jī)箱式平臺(tái)的線路卡。
這將會(huì)滿足Metro/WAN,無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備和企業(yè)中數(shù)據(jù)中心，NAS/SAN等應(yīng)用中的更大容量的要求。
業(yè)界首個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOC架構(gòu)，完全能合成的，OCP高速點(diǎn)到點(diǎn)片上互連。
制造商:Cypress Semiconductor 產(chǎn)品種類:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)容量:8 Mbit 組織:512 k x 16 訪問(wèn)時(shí)間:45 ns 最大時(shí)鐘頻率:- 接口類型:Parallel 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 電源電流—最大值:25 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-44 封裝:Tray 存儲(chǔ)類型:Volatile 類型:Asynchronous 商標(biāo):Cypress Semiconductor 端口數(shù)量:1 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:SRAM 工廠包裝數(shù)量270 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:2.565 g
Intel DDR2確認(rèn)的512Mb DDR2 SDRAM器件EDE51xxABSE。該器件的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)533Mbps，工作電壓1.8V，能滿足下一代PC，工作站和服務(wù)器對(duì)高速低功耗的要求。它的功耗比DDR1器件要低30%。
模塊將會(huì)給系統(tǒng)開發(fā)者提供業(yè)界第一個(gè)基于DDR2的高性能PC，工作站和服務(wù)器平臺(tái)。
和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的MIPS32結(jié)構(gòu)兼容，能接入第三方工具和軟件，降低設(shè)計(jì)時(shí)間。
基于MIPS32己于人24K微結(jié)構(gòu)派生出來(lái)的核.
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
它能以10Gbps(一片)或20Gbps(二片)全雙工交換結(jié)構(gòu)進(jìn)行工作，提供高達(dá)8個(gè)2.5Gbps/OC-48C交換口，或四個(gè)2.5Gbps/OC-48c口，集總成10Gbps/OC-192c的速率向上傳輸。
用作線路卡接口連接到交換結(jié)構(gòu)，支持四個(gè)網(wǎng)絡(luò)2.5Gbps/OC-48C網(wǎng)絡(luò)處理器或一個(gè)10Gbps/OC-192C網(wǎng)絡(luò)處理器，使用于10-20Gbps登錄平臺(tái)的交換/適配卡能用作機(jī)箱式平臺(tái)的線路卡。
這將會(huì)滿足Metro/WAN,無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)備和企業(yè)中數(shù)據(jù)中心，NAS/SAN等應(yīng)用中的更大容量的要求。
業(yè)界首個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOC架構(gòu)，完全能合成的，OCP高速點(diǎn)到點(diǎn)片上互連。
制造商:Cypress Semiconductor 產(chǎn)品種類:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)容量:8 Mbit 組織:512 k x 16 訪問(wèn)時(shí)間:45 ns 最大時(shí)鐘頻率:- 接口類型:Parallel 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 電源電流—最大值:25 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-44 封裝:Tray 存儲(chǔ)類型:Volatile 類型:Asynchronous 商標(biāo):Cypress Semiconductor 端口數(shù)量:1 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:SRAM 工廠包裝數(shù)量270 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:2.565 g
Intel DDR2確認(rèn)的512Mb DDR2 SDRAM器件EDE51xxABSE。該器件的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)533Mbps，工作電壓1.8V，能滿足下一代PC，工作站和服務(wù)器對(duì)高速低功耗的要求。它的功耗比DDR1器件要低30%。
模塊將會(huì)給系統(tǒng)開發(fā)者提供業(yè)界第一個(gè)基于DDR2的高性能PC，工作站和服務(wù)器平臺(tái)。
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