10V的絕緣阻抗超過20M歐姆Digital Ink的優(yōu)點
發(fā)布時間:2021/1/28 8:39:28 訪問次數(shù):582
500MHz 256Mb DDR SDRAM,主要用作高性能PC主存儲器,工作頻率500MHz,有FBGA,TSOP或QFP封裝.該DDR500產(chǎn)品主要用在需要更高頻率和系統(tǒng)性能的游戲機市場.DDR500是采用0.13um工藝制造.
在同一位置的觸摸壽命為3億次,具有很高的可靠性.
目前,主存儲器DRAM市場正在從DDR266迅速過渡到DDR333/400.由于有限的貨源,Hynix公司希望DDR500能比DDR400多10-20%的利潤.
Hynix公司希望繼續(xù)保持它在高端PC,工作站和計算機游戲市場以及需要超高速存儲器產(chǎn)品的領(lǐng)導地位.
制造商:Power Integrations 產(chǎn)品種類:交流/直流轉(zhuǎn)換器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8C 輸出功率:5.5 W 輸入/電源電壓—最小值:85 VAC 輸入/電源電壓—最大值:265 VAC 開關(guān)頻率:66 kHz 占空比 - 最大:55 % 工作電源電流:520 uA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Tube 輸出端數(shù)量:1 Output 類型:CV/CC Switcher 商標:Power Integrations 產(chǎn)品類型:AC/DC Converters 工廠包裝數(shù)量100 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:2 g
Digital Ink有許多優(yōu)點:傳感器的厚度范圍很寬,從0.36mm到50.8mm;傳感器的材料可以是玻璃或塑料,其上面的膜可以是磨光的,抗炫眼的和抗反射的; 材料的光傳輸率在550nm波長時高達95%;具有抗細菌的性能(獨立測試表明抗E大腸桿菌和葡萄球菌);鋼筆書寫速度可達1016mm/秒以及抗靜電和使用壽命10年等.Digital Ink技術(shù)所提供的尺寸,對角線有5.7英吋.
其電學性能包括有,輸入方法可以是手指,帶手套的手或鐵筆,通信接口是RS-232C TTL 電平/USB,筆書寫速度40英吋/秒,線性度99.5%,10V的絕緣阻抗超過20M歐姆,工作電壓為3.3-5.0V.
500MHz 256Mb DDR SDRAM,主要用作高性能PC主存儲器,工作頻率500MHz,有FBGA,TSOP或QFP封裝.該DDR500產(chǎn)品主要用在需要更高頻率和系統(tǒng)性能的游戲機市場.DDR500是采用0.13um工藝制造.
在同一位置的觸摸壽命為3億次,具有很高的可靠性.
目前,主存儲器DRAM市場正在從DDR266迅速過渡到DDR333/400.由于有限的貨源,Hynix公司希望DDR500能比DDR400多10-20%的利潤.
Hynix公司希望繼續(xù)保持它在高端PC,工作站和計算機游戲市場以及需要超高速存儲器產(chǎn)品的領(lǐng)導地位.
制造商:Power Integrations 產(chǎn)品種類:交流/直流轉(zhuǎn)換器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8C 輸出功率:5.5 W 輸入/電源電壓—最小值:85 VAC 輸入/電源電壓—最大值:265 VAC 開關(guān)頻率:66 kHz 占空比 - 最大:55 % 工作電源電流:520 uA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Tube 輸出端數(shù)量:1 Output 類型:CV/CC Switcher 商標:Power Integrations 產(chǎn)品類型:AC/DC Converters 工廠包裝數(shù)量100 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:2 g
Digital Ink有許多優(yōu)點:傳感器的厚度范圍很寬,從0.36mm到50.8mm;傳感器的材料可以是玻璃或塑料,其上面的膜可以是磨光的,抗炫眼的和抗反射的; 材料的光傳輸率在550nm波長時高達95%;具有抗細菌的性能(獨立測試表明抗E大腸桿菌和葡萄球菌);鋼筆書寫速度可達1016mm/秒以及抗靜電和使用壽命10年等.Digital Ink技術(shù)所提供的尺寸,對角線有5.7英吋.
其電學性能包括有,輸入方法可以是手指,帶手套的手或鐵筆,通信接口是RS-232C TTL 電平/USB,筆書寫速度40英吋/秒,線性度99.5%,10V的絕緣阻抗超過20M歐姆,工作電壓為3.3-5.0V.
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