新型P-MOSFET，具有性能和節(jié)省空間的組合性能，能用在手機(jī)，PDA，手提音樂設(shè)備，GPS接收器，低壓/小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器和數(shù)碼相機(jī)中的功率管理。

FDJ129P是采用Fairchild的高性能PowerTrench技術(shù)的SC75FLMP封裝（倒裝引線塑注封裝），和同樣性能的SSOT-6或TSOP-6封裝相比，板面積降低了60%。FDJ129P的耗散功率為1.8W，最大穩(wěn)態(tài)電流4.2A,是同類競(jìng)爭(zhēng)SC75封裝產(chǎn)品的12倍。

此外，F(xiàn)DJ129P由于其低損耗開關(guān)降低了系統(tǒng)功率損失，最大的脈沖電流為16A。

P1S22A的波長(zhǎng)范圍1525-1565nm,有自維護(hù)功能,磁性驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以及有最大可能降低裝配元件數(shù)量,2x2開關(guān)能作為MEMS系統(tǒng)的小型化元件.

它的插入損耗2.5dB或更低(典型為1.7dB),串音為55dB或更高,回波損耗35dB或更高,轉(zhuǎn)換時(shí)驅(qū)動(dòng)壓力為5VDC,尺寸為12(寬)X27(長(zhǎng))X8(高)mm.樣品價(jià)格24000日元.

P1L12A有注入成型的透鏡12個(gè),間距250um,采用商用的MT連接器和定位腳,為業(yè)界第一個(gè)無對(duì)準(zhǔn)的裝配.

微控制器單元(MCU) MSP430FE42x系列,用于電子電表(e 表).它把工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的超低功耗閃存MCU和集成的高性能模擬前端(AFE)組合在單一芯片上.新的MSP430FE42x系列產(chǎn)品,和第一代解決方案相比之,降低了系統(tǒng)芯片總數(shù)量80%,改善了性能,增加了可靠性,同時(shí)降低了成本,加速產(chǎn)品走向市場(chǎng).

采用MSP430FE42x系列的系統(tǒng)不需要多個(gè)晶體,EEPROM,LCD驅(qū)動(dòng)器,外接實(shí)時(shí)時(shí)鐘或5V電源.同時(shí)，該封裝不需要通常的導(dǎo)線鍵合，因而有極低的電阻。

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