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PCB和MOSFET芯片間的低熱阻通路

發(fā)布時(shí)間:2021/1/28 13:15:47 訪問(wèn)次數(shù):330

FLMP封裝還提供了PCB和MOSFET芯片間的低熱阻通路。

FDJ129P封裝的最大高度為0.8mm,使它能用在RF屏蔽和子裝配以及顯示器內(nèi)部,使產(chǎn)品變得更薄和更小尺寸。除了封裝上的特點(diǎn),新器件的導(dǎo)通電阻極低,VGS = -4.5V時(shí)為70毫歐姆,VGS = -2.5V時(shí)為120毫歐姆,柵極電荷也很低,VGS ± 12V時(shí)Qq小于6nC。


因此,不僅降低了透鏡本身的成本,也降低了裝配的巨大成本.鏡頭安排為1x12,插入損耗為2dB或更低(典型為1.5dB),串音為50dB或更高,尺寸為2.5(W)x6.4(L)x0.55(H)mm.樣品價(jià)格為2400日元.

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類(lèi):雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:40 V 集電極—基極電壓 VCBO:60 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V 集電極—射極飽和電壓:0.3 V 最大直流電集電極電流:0.2 A Pd-功率耗散:225 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:300 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:0.94 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 技術(shù):Si 寬度:1.3 mm 商標(biāo):ON Semiconductor 集電極連續(xù)電流:0.2 A 產(chǎn)品類(lèi)型:BJTs - Bipolar Transistors 3000 子類(lèi)別:Transistors 單位重量:30 mg

MSP430FE42x具有全編程的通信能力,這種專(zhuān)用的MCU特別適合用在開(kāi)發(fā)有專(zhuān)門(mén)特性的電子能源電表,如自動(dòng)讀表(AMR),預(yù)付費(fèi)智能卡和多種比率的帳單.

采用MSP430FE42x系列的系統(tǒng)不需要多個(gè)晶體,EEPROM,LCD驅(qū)動(dòng)器,外接實(shí)時(shí)時(shí)鐘或5V電源.所減少的元件數(shù)和器件內(nèi)部的故障保險(xiǎn)特性增加了整體可靠性.

低電組和低熱阻的組合大大地增加了功率管理應(yīng)用中的性能。

采用MSP430FE42x系列的系統(tǒng)不需要多個(gè)晶體,EEPROM,LCD驅(qū)動(dòng)器,外接實(shí)時(shí)時(shí)鐘或5V電源.


(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

FLMP封裝還提供了PCB和MOSFET芯片間的低熱阻通路。

FDJ129P封裝的最大高度為0.8mm,使它能用在RF屏蔽和子裝配以及顯示器內(nèi)部,使產(chǎn)品變得更薄和更小尺寸。除了封裝上的特點(diǎn),新器件的導(dǎo)通電阻極低,VGS = -4.5V時(shí)為70毫歐姆,VGS = -2.5V時(shí)為120毫歐姆,柵極電荷也很低,VGS ± 12V時(shí)Qq小于6nC。


因此,不僅降低了透鏡本身的成本,也降低了裝配的巨大成本.鏡頭安排為1x12,插入損耗為2dB或更低(典型為1.5dB),串音為50dB或更高,尺寸為2.5(W)x6.4(L)x0.55(H)mm.樣品價(jià)格為2400日元.

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MSP430FE42x具有全編程的通信能力,這種專(zhuān)用的MCU特別適合用在開(kāi)發(fā)有專(zhuān)門(mén)特性的電子能源電表,如自動(dòng)讀表(AMR),預(yù)付費(fèi)智能卡和多種比率的帳單.

采用MSP430FE42x系列的系統(tǒng)不需要多個(gè)晶體,EEPROM,LCD驅(qū)動(dòng)器,外接實(shí)時(shí)時(shí)鐘或5V電源.所減少的元件數(shù)和器件內(nèi)部的故障保險(xiǎn)特性增加了整體可靠性.

低電組和低熱阻的組合大大地增加了功率管理應(yīng)用中的性能。

采用MSP430FE42x系列的系統(tǒng)不需要多個(gè)晶體,EEPROM,LCD驅(qū)動(dòng)器,外接實(shí)時(shí)時(shí)鐘或5V電源.


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