單刀雙擲模擬開關(guān)高頻PWM的低邊的信號
發(fā)布時間:2021/1/28 18:15:19 訪問次數(shù):384
低失真模擬開關(guān)STG3157CTR,用作手機,PDA,GPS和CD-ROM器件中的信號路由。STG3157CTR是單刀雙擲模擬開關(guān),封裝為極小的SOT323 6引腳表面安裝封裝,用在空間要求很嚴格的地方。
該器件的工作電壓為1.65V-5.5V.因此,能用在各種手提設備中。
在環(huán)境溫度25度C時最大的靜態(tài)電流為1μA。它的導通電阻在Vcc=3.3V時小于9歐姆,能最小化信號失真,使信號有高保真的路由。
它的輸入和輸出都有防靜電放電保護。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-263-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:200 V Id-連續(xù)漏極電流:72 A Rds On-漏源導通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:100 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:375 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標:Infineon Technologies 正向跨導 - 最小值:79 S 下降時間:22 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:18 ns 工廠包裝數(shù)量:800 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:56 ns 典型接通延遲時間:17 ns 單位重量:4 g
電流傳感特性使負載電流能精確地監(jiān)視,以提供另外的數(shù)據(jù)到微控制器用作診斷。典型的例子包括對有故障的照明燈的開路檢測。當短路或過載出現(xiàn)時,為了保護電控制單元(ECU)和應用電路免受損害,保護電路是需要的。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
低失真模擬開關(guān)STG3157CTR,用作手機,PDA,GPS和CD-ROM器件中的信號路由。STG3157CTR是單刀雙擲模擬開關(guān),封裝為極小的SOT323 6引腳表面安裝封裝,用在空間要求很嚴格的地方。
該器件的工作電壓為1.65V-5.5V.因此,能用在各種手提設備中。
在環(huán)境溫度25度C時最大的靜態(tài)電流為1μA。它的導通電阻在Vcc=3.3V時小于9歐姆,能最小化信號失真,使信號有高保真的路由。
它的輸入和輸出都有防靜電放電保護。
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-263-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:200 V Id-連續(xù)漏極電流:72 A Rds On-漏源導通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:100 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:375 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標:Infineon Technologies 正向跨導 - 最小值:79 S 下降時間:22 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:18 ns 工廠包裝數(shù)量:800 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:56 ns 典型接通延遲時間:17 ns 單位重量:4 g
電流傳感特性使負載電流能精確地監(jiān)視,以提供另外的數(shù)據(jù)到微控制器用作診斷。典型的例子包括對有故障的照明燈的開路檢測。當短路或過載出現(xiàn)時,為了保護電控制單元(ECU)和應用電路免受損害,保護電路是需要的。
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