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PTHxx系列插入式功率模塊輸出電流30A

發(fā)布時(shí)間:2021/1/24 18:16:48 訪問(wèn)次數(shù):486

非絕緣功率模塊PTHxx系列,比以前的板安裝轉(zhuǎn)換器小70%,并且集成了跟蹤技術(shù),簡(jiǎn)化了電壓加電次序。這種點(diǎn)負(fù)載模塊的效率達(dá)到96%,給使用DSP,F(xiàn)PGA,ASIC和MCU的網(wǎng)絡(luò)和工業(yè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者提供了很高的靈活性,他們需要多種電壓源。

采用雙向表面安裝技術(shù),TI公司的新的PTHxx系列插入式功率模塊,支持輸入電壓為3.3V,5V或12V的降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器,可調(diào)輸出電壓從0.8V到5.5V,輸出電流高達(dá)30A。

功率模塊采用創(chuàng)新的新型Auto-TrackTM加電次序技術(shù),使多個(gè)模塊依次加電和關(guān)斷而不需要外接電路。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:800 V Id-連續(xù)漏極電流:11 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:400 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:43.6 nC 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:35 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.3 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 正向跨導(dǎo) - 最小值:8 S 下降時(shí)間:15 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:17 ns 1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:46 ns 典型接通延遲時(shí)間:22 ns 單位重量:2.040 g

為了達(dá)到更高的效率,6A轉(zhuǎn)換器帶預(yù)偏置起動(dòng)功能的同步整流器輸出級(jí)。除了6A系列,其它新的PTHxx功率模塊的輸出電流高達(dá)10A,15A,20A和30A。

實(shí)時(shí)100萬(wàn)點(diǎn)5節(jié)點(diǎn)14位20MHz復(fù)數(shù)數(shù)據(jù)速率版本也能用XC2V6000和三個(gè)外接的SDRAM來(lái)實(shí)現(xiàn)。

從管線頻率變換(PFT),可調(diào)PFT和現(xiàn)在的多相DET來(lái)選出最適當(dāng)?shù)慕鉀Q方案,準(zhǔn)確無(wú)誤地滿足他們的濾波器的特性和性能的要求。

多相DFT和Blackman-Harris窗口FFT濾波器的頻率響應(yīng)。


(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

非絕緣功率模塊PTHxx系列,比以前的板安裝轉(zhuǎn)換器小70%,并且集成了跟蹤技術(shù),簡(jiǎn)化了電壓加電次序。這種點(diǎn)負(fù)載模塊的效率達(dá)到96%,給使用DSP,F(xiàn)PGA,ASIC和MCU的網(wǎng)絡(luò)和工業(yè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者提供了很高的靈活性,他們需要多種電壓源。

采用雙向表面安裝技術(shù),TI公司的新的PTHxx系列插入式功率模塊,支持輸入電壓為3.3V,5V或12V的降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器,可調(diào)輸出電壓從0.8V到5.5V,輸出電流高達(dá)30A。

功率模塊采用創(chuàng)新的新型Auto-TrackTM加電次序技術(shù),使多個(gè)模塊依次加電和關(guān)斷而不需要外接電路。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:800 V Id-連續(xù)漏極電流:11 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:400 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:43.6 nC 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:35 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:9.3 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 正向跨導(dǎo) - 最小值:8 S 下降時(shí)間:15 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:17 ns 1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:46 ns 典型接通延遲時(shí)間:22 ns 單位重量:2.040 g

為了達(dá)到更高的效率,6A轉(zhuǎn)換器帶預(yù)偏置起動(dòng)功能的同步整流器輸出級(jí)。除了6A系列,其它新的PTHxx功率模塊的輸出電流高達(dá)10A,15A,20A和30A。

實(shí)時(shí)100萬(wàn)點(diǎn)5節(jié)點(diǎn)14位20MHz復(fù)數(shù)數(shù)據(jù)速率版本也能用XC2V6000和三個(gè)外接的SDRAM來(lái)實(shí)現(xiàn)。

從管線頻率變換(PFT),可調(diào)PFT和現(xiàn)在的多相DET來(lái)選出最適當(dāng)?shù)慕鉀Q方案,準(zhǔn)確無(wú)誤地滿足他們的濾波器的特性和性能的要求。

多相DFT和Blackman-Harris窗口FFT濾波器的頻率響應(yīng)。


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