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四組相移鍵控(QPSK)和雙極相移鍵控(BPSK)調(diào)制方案

發(fā)布時間:2021/1/28 18:32:40 訪問次數(shù):350

Apollo K8T800也從VIA公司的超級4合一驅(qū)動器中得到好處,能和最新的軟件和硬件無縫地兼容.同類產(chǎn)品則需要幾個小時來完成這一功能,甚至還要用戶輸入諸如頻率,碼速和符號速率等參數(shù)。

新的ZL10312有最低的功耗,耗散功率僅為300mW。

由于它產(chǎn)生的熱量最小化,改善了RF性能和可靠性。ZL10312芯片支持四組相移鍵控(QPSK)和雙極相移鍵控(BPSK)調(diào)制方案。器件采用先進的數(shù)字濾波器檢測和譯碼,譯碼符號速率1-45MS/s,允許不用外接元件就能處理衛(wèi)星頻道。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:55 V Id-連續(xù)漏極電流:4.7 A, 3.4 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:24 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.75 mm 長度:4.9 mm 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 寬度:3.9 mm 商標(biāo):Infineon / IR 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:4000 子類別:MOSFETs 單位重量:540 mg


具有優(yōu)化的編程時間,全部的存儲器陣列能在不到2秒內(nèi)擦除和編程。單獨的字能在不到3ms內(nèi)擦除和編程。器件有100萬次的數(shù)據(jù)存儲器擦除/寫入周期,10萬次程序存儲器擦除/寫入周期,數(shù)據(jù)保存40年。

器件有48KB或64KB閃存,4KB RAM和1024B長耐用的EEPROM數(shù)據(jù)存儲器。

豐富的外設(shè)包括有一個16通道10位分辨率的ADC,2個捕捉/比較/PWM模塊,3個增強性能捕捉/比較/PWM模塊,在10MHz高達(dá)10MIPS性能,兩個8位計時器,三個16位計時器和一個看門狗計時器(WDT),兩個模擬比較器和并行從端口(PSP).


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


Apollo K8T800也從VIA公司的超級4合一驅(qū)動器中得到好處,能和最新的軟件和硬件無縫地兼容.同類產(chǎn)品則需要幾個小時來完成這一功能,甚至還要用戶輸入諸如頻率,碼速和符號速率等參數(shù)。

新的ZL10312有最低的功耗,耗散功率僅為300mW。

由于它產(chǎn)生的熱量最小化,改善了RF性能和可靠性。ZL10312芯片支持四組相移鍵控(QPSK)和雙極相移鍵控(BPSK)調(diào)制方案。器件采用先進的數(shù)字濾波器檢測和譯碼,譯碼符號速率1-45MS/s,允許不用外接元件就能處理衛(wèi)星頻道。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel, P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:55 V Id-連續(xù)漏極電流:4.7 A, 3.4 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:24 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.75 mm 長度:4.9 mm 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel 寬度:3.9 mm 商標(biāo):Infineon / IR 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:4000 子類別:MOSFETs 單位重量:540 mg


具有優(yōu)化的編程時間,全部的存儲器陣列能在不到2秒內(nèi)擦除和編程。單獨的字能在不到3ms內(nèi)擦除和編程。器件有100萬次的數(shù)據(jù)存儲器擦除/寫入周期,10萬次程序存儲器擦除/寫入周期,數(shù)據(jù)保存40年。

器件有48KB或64KB閃存,4KB RAM和1024B長耐用的EEPROM數(shù)據(jù)存儲器。

豐富的外設(shè)包括有一個16通道10位分辨率的ADC,2個捕捉/比較/PWM模塊,3個增強性能捕捉/比較/PWM模塊,在10MHz高達(dá)10MIPS性能,兩個8位計時器,三個16位計時器和一個看門狗計時器(WDT),兩個模擬比較器和并行從端口(PSP).


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