低成本PICmicro閃存微控制器(MCU) PIC18F8525/6525 和PIC18F8621/6621，閃存容量分別為48KB和64KB，能給設(shè)計(jì)者提供更多的I/O，計(jì)時(shí)器，豐富特性的外設(shè)和靈活的現(xiàn)場(chǎng)自編程性能。

這四種MCU有64引腳和80引腳TQFP封裝，和公司以前的18，28和40引腳系列代碼兼容，允許設(shè)計(jì)者升級(jí)到更高的性能，重新使用現(xiàn)有的軟件和硬件平臺(tái)，降低了整個(gè)開發(fā)成本，使產(chǎn)品更快走向市場(chǎng)。

MCU采用Microchip公司的先進(jìn)PMOS電可擦除單元(PEEC)生產(chǎn)工藝，在同類產(chǎn)品中對(duì)編程和片內(nèi)數(shù)據(jù)EEPROM存儲(chǔ)器有最好的擦/寫增強(qiáng)性能，保存能力久和可靠性。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:195 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.65 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3.7 V Qg-柵極電荷:274 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:341 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:StrongIRFET 封裝:Tube 配置:Single 高度:20.7 mm 長(zhǎng)度:15.87 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.31 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:242 S 下降時(shí)間:104 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:141 ns 工廠包裝數(shù)量:400 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:172 ns 典型接通延遲時(shí)間:52 ns 單位重量:38 g

獨(dú)特的片內(nèi)硬件控制器使ZL10312器件能達(dá)到超快的通道掃描能力�？刂破饔捎趶耐獠刻幚砥鲙缀醪皇芨蓴_地以高速實(shí)現(xiàn)掃描程序，所以節(jié)省了時(shí)間。ZL10312能和Eutelsat的DiSEqC(數(shù)字衛(wèi)星設(shè)備控制)總線 V2.2接口，這種接口降低了外接元件數(shù)量。

ZL10312解調(diào)器有"睡眠"引腳，能大大地降低待機(jī)模式的功耗。該引腳能使不用時(shí)的STB的功耗降低1000倍，滿足美國(guó)(US)環(huán)境保護(hù)的要求。ZL10312也滿足歐洲D(zhuǎn)VB-S(數(shù)字視頻廣播衛(wèi)星)指標(biāo)和US 數(shù)字衛(wèi)星系統(tǒng)(DSS)的標(biāo)準(zhǔn)。