精確和可配置欠壓鎖住提供保護(hù)從而保證柵極驅(qū)動(dòng)電壓富裕度
發(fā)布時(shí)間:2023/12/19 23:01:44 訪問(wèn)次數(shù):43
MC33GD3100是SiC和IGBT功率器件單路柵極驅(qū)動(dòng)器.其集成的電流隔離和低開(kāi)態(tài)電阻提供了高的充電和放電電流,低動(dòng)態(tài)飽和電壓和軌到軌柵極電壓控制.
電流和溫度檢測(cè)最大限度降低IGBT故障時(shí)的應(yīng)力,精確和可配置的欠壓鎖住(UVLO)提供了保護(hù),從而保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓的富裕度.
MC33GD3100通過(guò)INTB引腳和SPI接口自主管理故障和報(bào)告故障與狀態(tài).器件能直接驅(qū)動(dòng)大多數(shù)的IGBT和SiC MOSFET.
制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:eMMCRoHS: 系列:存儲(chǔ)容量:8 GB配置:MLC連續(xù)讀取:190 MB/s連續(xù)寫(xiě)入:22 MB/s工作電源電壓:2.7 V to 3.6 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Tray封裝 / 箱體:VFBGA-153產(chǎn)品:eMMC Flash Drive商標(biāo):Micron安裝風(fēng)格:SMD/SMT濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:eMMC1520子類別:Memory & Data Storage單位重量:4.789 g
全集成的反向的功率級(jí)(IPM),包括了高壓驅(qū)動(dòng)器,六個(gè)IGBT和溫度傳感器,適合于驅(qū)動(dòng)永磁同步馬達(dá)(PMSM),無(wú)刷DC(BLDC)馬達(dá)和異步馬達(dá).
IGBT配置成3相橋接,有單獨(dú)的用于下腿的發(fā)射極連接,以便選擇控制算法是有最大限度的靈活性.
功率級(jí)具有全范圍的保護(hù)功能,包括交叉導(dǎo)通保護(hù),外部關(guān)斷和欠壓鎖住等功能.連接到過(guò)流保護(hù)電路的內(nèi)部比較器和基準(zhǔn)允許設(shè)計(jì)者設(shè)定過(guò)流的保護(hù)水平.
主要用在工業(yè)泵,工業(yè)風(fēng)扇,工業(yè)自動(dòng)化和家用電器.
MC33GD3100是SiC和IGBT功率器件單路柵極驅(qū)動(dòng)器.其集成的電流隔離和低開(kāi)態(tài)電阻提供了高的充電和放電電流,低動(dòng)態(tài)飽和電壓和軌到軌柵極電壓控制.
電流和溫度檢測(cè)最大限度降低IGBT故障時(shí)的應(yīng)力,精確和可配置的欠壓鎖住(UVLO)提供了保護(hù),從而保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓的富裕度.
MC33GD3100通過(guò)INTB引腳和SPI接口自主管理故障和報(bào)告故障與狀態(tài).器件能直接驅(qū)動(dòng)大多數(shù)的IGBT和SiC MOSFET.
制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:eMMCRoHS: 系列:存儲(chǔ)容量:8 GB配置:MLC連續(xù)讀取:190 MB/s連續(xù)寫(xiě)入:22 MB/s工作電源電壓:2.7 V to 3.6 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Tray封裝 / 箱體:VFBGA-153產(chǎn)品:eMMC Flash Drive商標(biāo):Micron安裝風(fēng)格:SMD/SMT濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:eMMC1520子類別:Memory & Data Storage單位重量:4.789 g
全集成的反向的功率級(jí)(IPM),包括了高壓驅(qū)動(dòng)器,六個(gè)IGBT和溫度傳感器,適合于驅(qū)動(dòng)永磁同步馬達(dá)(PMSM),無(wú)刷DC(BLDC)馬達(dá)和異步馬達(dá).
IGBT配置成3相橋接,有單獨(dú)的用于下腿的發(fā)射極連接,以便選擇控制算法是有最大限度的靈活性.
功率級(jí)具有全范圍的保護(hù)功能,包括交叉導(dǎo)通保護(hù),外部關(guān)斷和欠壓鎖住等功能.連接到過(guò)流保護(hù)電路的內(nèi)部比較器和基準(zhǔn)允許設(shè)計(jì)者設(shè)定過(guò)流的保護(hù)水平.
主要用在工業(yè)泵,工業(yè)風(fēng)扇,工業(yè)自動(dòng)化和家用電器.
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