MinE-CAP器件的輸入電壓從90VAC到350+VAC
發(fā)布時間:2021/1/29 23:17:17 訪問次數(shù):319
體電容器小型化和浪涌電流管理的集成電路,用于非常高功率密度的AC/DC轉(zhuǎn)換器,極大低縮減輸入電容的體積而不影響輸出波紋,工作效率或變壓器的重新設(shè)計.
和傳統(tǒng)技術(shù)相比如非常高開關(guān)頻率,MinE-CAP可獲得相同或大于整體電源尺寸降低而不用改變復(fù)雜EMI濾波和增加和非常高頻率設(shè)計有關(guān)的變壓器/功耗.
MinE-CAP還能精密管理在AC接通時的浪涌電流,從而不需要耗電的浪涌NTC或大的慢熔保險絲.MinE-CAP器件的輸入電壓從90VAC到350+VAC.
制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器RoHS: 類型:SDRAM - DDR2安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:FBGA-60數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit組織:64 M x 8存儲容量:512 Mbit最大時鐘頻率:800 MHz電源電壓-最大:1.9 V電源電壓-最小:1.7 V電源電流—最大值:95 mA最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Tray商標:Micron 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 1518 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:4.298 g
先進的功率管理特性包括數(shù)字溫度報告,TI理想二極管模式.
GaN FET溫度通過可變占空比PWM輸出進行報告,使系統(tǒng)能優(yōu)化管理負載.理想二極管模式由于賦能了自適應(yīng)死區(qū)時間控制而降低了3/4損耗,從而最大限度提高了效率.
器件的開關(guān)頻率為2MHz.主要用在高密度工業(yè)電源,太陽能逆變器和工業(yè)馬達驅(qū)動以及不間斷電源(UPS).
單相降壓單片開關(guān)穩(wěn)壓器,集成了高精度內(nèi)部基準電壓和用于同步轉(zhuǎn)換的功率MOSFET.器件采用SOI技術(shù),對單粒子閂鎖效應(yīng)有良好的性能.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
體電容器小型化和浪涌電流管理的集成電路,用于非常高功率密度的AC/DC轉(zhuǎn)換器,極大低縮減輸入電容的體積而不影響輸出波紋,工作效率或變壓器的重新設(shè)計.
和傳統(tǒng)技術(shù)相比如非常高開關(guān)頻率,MinE-CAP可獲得相同或大于整體電源尺寸降低而不用改變復(fù)雜EMI濾波和增加和非常高頻率設(shè)計有關(guān)的變壓器/功耗.
MinE-CAP還能精密管理在AC接通時的浪涌電流,從而不需要耗電的浪涌NTC或大的慢熔保險絲.MinE-CAP器件的輸入電壓從90VAC到350+VAC.
制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機存取存儲器RoHS: 類型:SDRAM - DDR2安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:FBGA-60數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit組織:64 M x 8存儲容量:512 Mbit最大時鐘頻率:800 MHz電源電壓-最大:1.9 V電源電壓-最小:1.7 V電源電流—最大值:95 mA最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Tray商標:Micron 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:DRAM 1518 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:4.298 g
先進的功率管理特性包括數(shù)字溫度報告,TI理想二極管模式.
GaN FET溫度通過可變占空比PWM輸出進行報告,使系統(tǒng)能優(yōu)化管理負載.理想二極管模式由于賦能了自適應(yīng)死區(qū)時間控制而降低了3/4損耗,從而最大限度提高了效率.
器件的開關(guān)頻率為2MHz.主要用在高密度工業(yè)電源,太陽能逆變器和工業(yè)馬達驅(qū)動以及不間斷電源(UPS).
單相降壓單片開關(guān)穩(wěn)壓器,集成了高精度內(nèi)部基準電壓和用于同步轉(zhuǎn)換的功率MOSFET.器件采用SOI技術(shù),對單粒子閂鎖效應(yīng)有良好的性能.
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