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綜合二次測量路徑集成電流信號隔離高達(dá)8kV

發(fā)布時間:2021/1/29 23:19:51 訪問次數(shù):132

14位分辨率鋰電池監(jiān)控系統(tǒng),包含了堆棧鋰電池如用在混合動力汽車和備用電池通用監(jiān)控所需要的全部功能.AD7284具有復(fù)接電池電壓和輔助的ADC測量通路,支持4到8個電池的測量.器件提供最大可調(diào)整誤差(TUE) ±3 mV,包括從輸入到輸出的所有內(nèi)部誤差.

主要的ADC分辨率是14位,AD7284還包括綜合二次測量路徑,以驗證主ADC上的數(shù)據(jù).其它的診斷特性包括檢測開路輸入,通信和電源相關(guān)的故障.±16 mV 標(biāo)準(zhǔn)電池堆棧電壓 (TUE) 精度,內(nèi)部溫度傳感器,VDD工作范圍為10 V至40 V,結(jié)溫范圍為−30C至+120C,符合汽車應(yīng)用要求.

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-563-6 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:300 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:300 mV 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:0.5 mm 長度:1.6 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:2 N-Channel MOSFET 寬度:1.2 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 下降時間:10 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:10 ns 8000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:15 ns 典型接通延遲時間:5 ns 零件號別名:EM6K6 單位重量:3 mg

MC33GD3100滿足汽車應(yīng)用的確最嚴(yán)格要求,完全具有AEC-Q100 grade 1資質(zhì). 

MC33GD3100具有低傳輸延遲和最小的PWM失真,集成的電流信號隔離高達(dá)8kV,集成的柵極驅(qū)動功率級有15A峰值源和沉,全可編有源米勒箝位,和負(fù)柵極電源兼容,和電流檢測和溫度檢測IGBT兼容,并集成了軟關(guān)斷,兩級關(guān)斷,有源箝位,用于波形整形的分段驅(qū)動.

主要用在鋰電池監(jiān)控,電動和混合動力汽車,固定動力應(yīng)用.


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

14位分辨率鋰電池監(jiān)控系統(tǒng),包含了堆棧鋰電池如用在混合動力汽車和備用電池通用監(jiān)控所需要的全部功能.AD7284具有復(fù)接電池電壓和輔助的ADC測量通路,支持4到8個電池的測量.器件提供最大可調(diào)整誤差(TUE) ±3 mV,包括從輸入到輸出的所有內(nèi)部誤差.

主要的ADC分辨率是14位,AD7284還包括綜合二次測量路徑,以驗證主ADC上的數(shù)據(jù).其它的診斷特性包括檢測開路輸入,通信和電源相關(guān)的故障.±16 mV 標(biāo)準(zhǔn)電池堆棧電壓 (TUE) 精度,內(nèi)部溫度傳感器,VDD工作范圍為10 V至40 V,結(jié)溫范圍為−30C至+120C,符合汽車應(yīng)用要求.

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-563-6 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:300 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:300 mV 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:0.5 mm 長度:1.6 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:2 N-Channel MOSFET 寬度:1.2 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 下降時間:10 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:10 ns 8000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:15 ns 典型接通延遲時間:5 ns 零件號別名:EM6K6 單位重量:3 mg

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MC33GD3100具有低傳輸延遲和最小的PWM失真,集成的電流信號隔離高達(dá)8kV,集成的柵極驅(qū)動功率級有15A峰值源和沉,全可編有源米勒箝位,和負(fù)柵極電源兼容,和電流檢測和溫度檢測IGBT兼容,并集成了軟關(guān)斷,兩級關(guān)斷,有源箝位,用于波形整形的分段驅(qū)動.

主要用在鋰電池監(jiān)控,電動和混合動力汽車,固定動力應(yīng)用.


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