低漂移2.5V精密基準(zhǔn)電壓數(shù)字濾波器
發(fā)布時(shí)間:2021/1/30 16:07:23 訪問次數(shù):252
每一路包括模擬輸入箝位保護(hù),可編增益放大器(PGA),低通濾波器(LPF)和18位逐次逼近(SAR)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC).AD7606C-18還包含靈活的數(shù)字濾波器,低漂移2.5V精密基準(zhǔn)電壓,驅(qū)動(dòng)ADC的基準(zhǔn)緩沖器和靈活的并行和串行接口.
器件的工作電壓為5V,取樣吞吐量1 MSPS的輸入可為雙極單端:±12.5 V, ±10 V, ±6.25 V, ±5 V和±2.5 V;單極單端0 V- 12.5 V, 0 V -10 V和0 V - 5 V以及雙極差分±20 V, ±12.5 V, ±10 V和±5 V.器件的SNR為93dB,過取樣32時(shí)的SNR為102dB,THD為-100dB,FSR最大時(shí)的TUE=0.05%.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:13 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:205 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:58 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:66 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:3.2 S 下降時(shí)間:46 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:58 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns 單位重量:4 g
時(shí)鐘高達(dá)60MHz,具有片內(nèi)晶體振蕩器和片內(nèi)PLL。
LPC2131內(nèi)部沒有集成CAN控制器,而無法利用CAN總線來進(jìn)行通訊。為了使得LPC2131能夠利用CAN總線進(jìn)行通訊,可以通過外部擴(kuò)展來拓展其功能。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
每一路包括模擬輸入箝位保護(hù),可編增益放大器(PGA),低通濾波器(LPF)和18位逐次逼近(SAR)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC).AD7606C-18還包含靈活的數(shù)字濾波器,低漂移2.5V精密基準(zhǔn)電壓,驅(qū)動(dòng)ADC的基準(zhǔn)緩沖器和靈活的并行和串行接口.
器件的工作電壓為5V,取樣吞吐量1 MSPS的輸入可為雙極單端:±12.5 V, ±10 V, ±6.25 V, ±5 V和±2.5 V;單極單端0 V- 12.5 V, 0 V -10 V和0 V - 5 V以及雙極差分±20 V, ±12.5 V, ±10 V和±5 V.器件的SNR為93dB,過取樣32時(shí)的SNR為102dB,THD為-100dB,FSR最大時(shí)的TUE=0.05%.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:13 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:205 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:58 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:66 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:3.2 S 下降時(shí)間:46 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:58 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns 單位重量:4 g
時(shí)鐘高達(dá)60MHz,具有片內(nèi)晶體振蕩器和片內(nèi)PLL。
LPC2131內(nèi)部沒有集成CAN控制器,而無法利用CAN總線來進(jìn)行通訊。為了使得LPC2131能夠利用CAN總線進(jìn)行通訊,可以通過外部擴(kuò)展來拓展其功能。
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