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輸入和輸出和SSTL-18接口4個(gè)PWM通道使器件

發(fā)布時(shí)間:2021/1/31 23:16:36 訪問(wèn)次數(shù):913

Tiny13和Tiny2312有2KB的自編程閃存和128B EEPROM和SRAM以及18個(gè)I/O線.8個(gè)中斷引腳使器件讀字時(shí)響應(yīng)很快,4個(gè)PWM通道使器件能控制多個(gè)模擬輸出.

可變的分辨率使設(shè)計(jì)者在處理PWM分辨率和PWM頻率時(shí)有更大的自由度.這種特性也能用來(lái)產(chǎn)生任意的PWM波形.

系統(tǒng)設(shè)計(jì)者面對(duì)要在更短的時(shí)間內(nèi)把產(chǎn)品推向市場(chǎng)的越來(lái)越多的壓力,產(chǎn)品必須在軟件開發(fā)完成以前要開始生產(chǎn).

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器 產(chǎn)品:Schottky Rectifiers 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:D2PAK-2 (TO-263-2) 配置:Dual Common Cathode 技術(shù):Si If - 正向電流:20 A (2 x 10 A) Vrrm - 重復(fù)反向電壓:45 V Vf - 正向電壓:0.84 V Ifsm - 正向浪涌電流:180 A Ir - 反向電流 :100 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:4.6 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 端接類型:SMD/SMT 類型:Schottky Rectifier 寬度:9.35 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 1000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:2 g


把512Mb DDR2 SDRAM提交給Intel公司進(jìn)行評(píng)估,它的樣品能成功地提升Intel下一代雙處理器服務(wù)器芯片組稱作"Lindenhurst"的代碼.

Hynix 512Mb DDR2 SDRAM現(xiàn)在可提供樣品數(shù)量,批量生產(chǎn)將在2004年初.

HY5PS124的配置有128Mbx4,64Mbx8和32Mbx16,工作電壓1.8V/2.5V可選擇,VDDQ=1.8V+/-0.1V,所有的輸入和輸出都和SSTL_18接口,完全差分時(shí)鐘輸入,雙數(shù)據(jù)速率接口,每引腳的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)667Mbps,JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的60和80引腳FBGA封裝,每64ms 8K周期擦新,支持片外驅(qū)動(dòng)器阻抗調(diào)整.


(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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可變的分辨率使設(shè)計(jì)者在處理PWM分辨率和PWM頻率時(shí)有更大的自由度.這種特性也能用來(lái)產(chǎn)生任意的PWM波形.

系統(tǒng)設(shè)計(jì)者面對(duì)要在更短的時(shí)間內(nèi)把產(chǎn)品推向市場(chǎng)的越來(lái)越多的壓力,產(chǎn)品必須在軟件開發(fā)完成以前要開始生產(chǎn).

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器 產(chǎn)品:Schottky Rectifiers 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:D2PAK-2 (TO-263-2) 配置:Dual Common Cathode 技術(shù):Si If - 正向電流:20 A (2 x 10 A) Vrrm - 重復(fù)反向電壓:45 V Vf - 正向電壓:0.84 V Ifsm - 正向浪涌電流:180 A Ir - 反向電流 :100 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:4.6 mm 長(zhǎng)度:10.4 mm 端接類型:SMD/SMT 類型:Schottky Rectifier 寬度:9.35 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 1000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:2 g


把512Mb DDR2 SDRAM提交給Intel公司進(jìn)行評(píng)估,它的樣品能成功地提升Intel下一代雙處理器服務(wù)器芯片組稱作"Lindenhurst"的代碼.

Hynix 512Mb DDR2 SDRAM現(xiàn)在可提供樣品數(shù)量,批量生產(chǎn)將在2004年初.

HY5PS124的配置有128Mbx4,64Mbx8和32Mbx16,工作電壓1.8V/2.5V可選擇,VDDQ=1.8V+/-0.1V,所有的輸入和輸出都和SSTL_18接口,完全差分時(shí)鐘輸入,雙數(shù)據(jù)速率接口,每引腳的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)667Mbps,JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的60和80引腳FBGA封裝,每64ms 8K周期擦新,支持片外驅(qū)動(dòng)器阻抗調(diào)整.


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