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1024-QAM調(diào)制提高相位噪聲和線性性能集成數(shù)字功能

發(fā)布時(shí)間:2021/1/30 22:05:40 訪問(wèn)次數(shù):1744

基于意法半導(dǎo)體的NFC技術(shù)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，這些標(biāo)簽具有通信距離長(zhǎng)、連接可靠等優(yōu)點(diǎn)。此外，與上一代產(chǎn)品相比，芯片電容保持不變，這有助于簡(jiǎn)化天線設(shè)計(jì)。

新標(biāo)簽的工作溫度范圍為-40°C至85°C，并集成了可配置的EEPROM，數(shù)據(jù)保存期限達(dá)到60年，這是在主要NFC供應(yīng)商中可獲得的最高價(jià)值。

ST25TV512C (ST25TV512C-AFG3) 和ST25TV02KC (ST25TV02KC-TFG3 & ST25TV02KC-AFG3) 的交貨形式是切割好的帶焊球的裸片或者UFDFPN5封裝。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PG-TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續(xù)漏極電流:6.8 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:13 nC 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:61 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:CoolMOS 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長(zhǎng)度:6.5 mm 系列:CoolMOS CE 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:13 ns 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:8 ns 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60 ns 典型接通延遲時(shí)間:10 ns 零件號(hào)別名:IPD60R1K0CE SP001396896 單位重量:4 g

允許在兩個(gè)頻段上同時(shí)運(yùn)行出色的接收靈敏度，可在更長(zhǎng)距離內(nèi)實(shí)現(xiàn)可靠連接支持1024-QAM調(diào)制，可提高吞吐量出色的相位噪聲和線性性能。

可確保有足夠的余量滿足Tx和Rx EVM（誤差矢量幅度）要求 集成數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，可提供高達(dá)80 MHz的通道帶寬.

并具有至系統(tǒng)級(jí)芯片的高速SerDes數(shù)字接口；通過(guò)模擬I / Q接口支持160MHz通道 用于校準(zhǔn)，生產(chǎn)測(cè)試和信號(hào)路徑補(bǔ)償?shù)募蓴?shù)字功能，包括嵌入式RISC-V處理器內(nèi)核.

(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

基于意法半導(dǎo)體的NFC技術(shù)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，這些標(biāo)簽具有通信距離長(zhǎng)、連接可靠等優(yōu)點(diǎn)。此外，與上一代產(chǎn)品相比，芯片電容保持不變，這有助于簡(jiǎn)化天線設(shè)計(jì)。

新標(biāo)簽的工作溫度范圍為-40°C至85°C，并集成了可配置的EEPROM，數(shù)據(jù)保存期限達(dá)到60年，這是在主要NFC供應(yīng)商中可獲得的最高價(jià)值。

ST25TV512C (ST25TV512C-AFG3) 和ST25TV02KC (ST25TV02KC-TFG3 & ST25TV02KC-AFG3) 的交貨形式是切割好的帶焊球的裸片或者UFDFPN5封裝。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PG-TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續(xù)漏極電流:6.8 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:13 nC 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:61 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:CoolMOS 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長(zhǎng)度:6.5 mm 系列:CoolMOS CE 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:13 ns 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:8 ns 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60 ns 典型接通延遲時(shí)間:10 ns 零件號(hào)別名:IPD60R1K0CE SP001396896 單位重量:4 g

允許在兩個(gè)頻段上同時(shí)運(yùn)行出色的接收靈敏度，可在更長(zhǎng)距離內(nèi)實(shí)現(xiàn)可靠連接支持1024-QAM調(diào)制，可提高吞吐量出色的相位噪聲和線性性能。

可確保有足夠的余量滿足Tx和Rx EVM（誤差矢量幅度）要求 集成數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，可提供高達(dá)80 MHz的通道帶寬.

并具有至系統(tǒng)級(jí)芯片的高速SerDes數(shù)字接口；通過(guò)模擬I / Q接口支持160MHz通道 用于校準(zhǔn)，生產(chǎn)測(cè)試和信號(hào)路徑補(bǔ)償?shù)募蓴?shù)字功能，包括嵌入式RISC-V處理器內(nèi)核.

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