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漏極開(kāi)路和作用高推挽Intel的多級(jí)單元(MLC)技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021/2/1 23:17:01 訪問(wèn)次數(shù):292

容量為1024MB StrataFlash 無(wú)線存儲(chǔ)器系統(tǒng)LV18/LV30 SCSP,它是完整的性價(jià)比好的存儲(chǔ)器解決方案,特別設(shè)計(jì)用于需要大容量嵌入式數(shù)據(jù)應(yīng)用如照相機(jī)圖像,音頻和視頻文件的下一代手持設(shè)備.

該器件在單一器件中提供低成本的數(shù)據(jù)存儲(chǔ),代碼和RAM.

該器件是基于Intel的多級(jí)單元(MLC)技術(shù),能在每個(gè)存儲(chǔ)器單元中加倍信息量,它包括了代碼執(zhí)行,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和RAM工作區(qū)間,無(wú)線設(shè)計(jì)者都需要這三種功能類型的存儲(chǔ)器.

該系統(tǒng)工作電壓1.8V,使電池有更長(zhǎng)的工作時(shí)間,存儲(chǔ)器容量高達(dá)1GB.

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:900 V Id-連續(xù)漏極電流:36 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:120 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:270 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 長(zhǎng)度:16.13 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.21 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:25 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:20 ns 240 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:400 ns 典型接通延遲時(shí)間:70 ns 零件號(hào)別名:IPW9R12C3XK SP000413750 IPW90R120C3FKSA1 單位重量:38 g

重置輸出有作用低推挽,漏極開(kāi)路和作用高推挽幾種配置.總數(shù)16種不用的暫停周期和工廠編程的看門狗和重置功能,保證了終端用戶有最大限度的靈活性.

EM6323/24很適合用在微處理器系統(tǒng),個(gè)人計(jì)算機(jī)和工作站,微控制器和數(shù)字信號(hào)處理器,MPEG-2譯碼器,POS終端,路有器,集線器和交換器,通信設(shè)備,銷售機(jī)器和ATM,工業(yè)應(yīng)用和測(cè)量?jī)x表,HVAC,手提醫(yī)療設(shè)備,GPS和以電池為能源的設(shè)備.

高溫工作性能也使EM6323/24很適合用在汽車電子上.


(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

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該器件在單一器件中提供低成本的數(shù)據(jù)存儲(chǔ),代碼和RAM.

該器件是基于Intel的多級(jí)單元(MLC)技術(shù),能在每個(gè)存儲(chǔ)器單元中加倍信息量,它包括了代碼執(zhí)行,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和RAM工作區(qū)間,無(wú)線設(shè)計(jì)者都需要這三種功能類型的存儲(chǔ)器.

該系統(tǒng)工作電壓1.8V,使電池有更長(zhǎng)的工作時(shí)間,存儲(chǔ)器容量高達(dá)1GB.

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:900 V Id-連續(xù)漏極電流:36 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:120 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:270 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 長(zhǎng)度:16.13 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.21 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:25 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:20 ns 240 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:400 ns 典型接通延遲時(shí)間:70 ns 零件號(hào)別名:IPW9R12C3XK SP000413750 IPW90R120C3FKSA1 單位重量:38 g

重置輸出有作用低推挽,漏極開(kāi)路和作用高推挽幾種配置.總數(shù)16種不用的暫停周期和工廠編程的看門狗和重置功能,保證了終端用戶有最大限度的靈活性.

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