RoT系統(tǒng)固件保護(hù)及控制功能集成到單個(gè)器件
發(fā)布時(shí)間:2021/1/30 19:42:58 訪問次數(shù):555
如果驗(yàn)證失敗,器件可以自動(dòng)從備份的(黃金版)位流重啟。
自萊迪思提供實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制功能的 PLD 以來,其芯片、知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)和軟件快速發(fā)展,現(xiàn)在可以將 RoT、系統(tǒng)固件保護(hù)以及控制功能集成到單個(gè)器件中。新一代 Mach-NX 在久經(jīng)驗(yàn)證的 MachXO3D 基礎(chǔ)上,結(jié)合專用 IP、軟件和服務(wù),更上一層樓。
Mach-NX 實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的加密,為滿足安全控制要求,Mach-NX 提供可編程硬核邏輯以及豐富的 I/O。芯片的配置(位流)存儲(chǔ)在片上閃存中,該閃存可以管理兩個(gè)加密的鏡像。
功效:
OP1dB:29 dBm(典型值)
增益:高達(dá) 15 dB(典型值)
OIP3:高達(dá) 43 dBm(典型值)
385 mA自偏置電壓 VDD = 12 V(典型值),
VGG1 上提供可選偏壓控制以進(jìn)行 IDQ 調(diào)整
50 Ω 匹配輸入/輸出
應(yīng)用
軍用和航空航天
測試儀器儀表
產(chǎn)品描述:
ADPA9002
是一款砷化鎵 (GaAs) 假晶高電子
遷移率晶體管 (pHEMT)
微波單片集成電路 (MMIC) 功率放大器,
工作頻率范圍為直流至 10 GHz。
該放大器可以提供 15 dB 增益
eSPI 在 SPI 的電氣和時(shí)序規(guī)范的基礎(chǔ)上新增了一層新協(xié)議,因此可以向下兼容 SPI。
與前代產(chǎn)品一樣,新器件包括了實(shí)現(xiàn)控制功能的靈活 I/O,最多擁有 379 個(gè)引腳,可實(shí)現(xiàn)LVCMOS、LVTTL 和 LVDS 等標(biāo)準(zhǔn),支持 1.2V 到 3.3V 電壓范圍。
所有封裝方案均采用 0.8 mm 引腳間距以簡化PCB 布局。Mach-NX 是基于萊迪思 Nexus 平臺(tái)的最新產(chǎn)品,采用了三星的 28 nm 全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝制造。
盡管 FD-SOI 以低漏電流著稱,但對(duì)于大多數(shù)安全控制應(yīng)用而言, 功耗只是次要考量。
如果驗(yàn)證失敗,器件可以自動(dòng)從備份的(黃金版)位流重啟。
自萊迪思提供實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制功能的 PLD 以來,其芯片、知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)和軟件快速發(fā)展,現(xiàn)在可以將 RoT、系統(tǒng)固件保護(hù)以及控制功能集成到單個(gè)器件中。新一代 Mach-NX 在久經(jīng)驗(yàn)證的 MachXO3D 基礎(chǔ)上,結(jié)合專用 IP、軟件和服務(wù),更上一層樓。
Mach-NX 實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的加密,為滿足安全控制要求,Mach-NX 提供可編程硬核邏輯以及豐富的 I/O。芯片的配置(位流)存儲(chǔ)在片上閃存中,該閃存可以管理兩個(gè)加密的鏡像。
功效:
OP1dB:29 dBm(典型值)
增益:高達(dá) 15 dB(典型值)
OIP3:高達(dá) 43 dBm(典型值)
385 mA自偏置電壓 VDD = 12 V(典型值),
VGG1 上提供可選偏壓控制以進(jìn)行 IDQ 調(diào)整
50 Ω 匹配輸入/輸出
應(yīng)用
軍用和航空航天
測試儀器儀表
產(chǎn)品描述:
ADPA9002
是一款砷化鎵 (GaAs) 假晶高電子
遷移率晶體管 (pHEMT)
微波單片集成電路 (MMIC) 功率放大器,
工作頻率范圍為直流至 10 GHz。
該放大器可以提供 15 dB 增益
eSPI 在 SPI 的電氣和時(shí)序規(guī)范的基礎(chǔ)上新增了一層新協(xié)議,因此可以向下兼容 SPI。
與前代產(chǎn)品一樣,新器件包括了實(shí)現(xiàn)控制功能的靈活 I/O,最多擁有 379 個(gè)引腳,可實(shí)現(xiàn)LVCMOS、LVTTL 和 LVDS 等標(biāo)準(zhǔn),支持 1.2V 到 3.3V 電壓范圍。
所有封裝方案均采用 0.8 mm 引腳間距以簡化PCB 布局。Mach-NX 是基于萊迪思 Nexus 平臺(tái)的最新產(chǎn)品,采用了三星的 28 nm 全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝制造。
盡管 FD-SOI 以低漏電流著稱,但對(duì)于大多數(shù)安全控制應(yīng)用而言, 功耗只是次要考量。
熱門點(diǎn)擊
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- 3.5英寸對(duì)角線低溫多晶硅系統(tǒng)(SOG)顯示
- ADC和六個(gè)DAC通道模擬和數(shù)字的工作電壓為
- RoT系統(tǒng)固件保護(hù)及控制功能集成到單個(gè)器件
- 大電流柵驅(qū)動(dòng)輸出額定值3A電流沉和2A電流源
- 開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)SYNC/SPRD引腳LED電流
- LVTTL I/O電平或在208MHz下采用
- 8KB的SRAM和有16個(gè)宏單元的超過300
- 440Mbps數(shù)字調(diào)制解調(diào)器ASIC額定功率
- ADC數(shù)據(jù)采集解決方案的全部有源和無源元件
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