并串/串并轉(zhuǎn)換器(SERDES)核SDM4G13,有高速1-10Gbps的性能,可用在存儲(chǔ)局域網(wǎng)(SAN).新的SDM4G13 SERDES核,采用TSMC的130nm生產(chǎn)技術(shù),已設(shè)計(jì)進(jìn)ASIC.

Agere的突破性能SERDES能進(jìn)入1,2和4Gbps光纖通道市場(chǎng),在同一核中給用戶提供10Gbps的性能.

新SERDES核也支持1.5和3Gbps串行ATA(SATA)和串行附屬SCSI(SAS)以及用于高速串行存儲(chǔ)連接的PCI快速標(biāo)準(zhǔn).

這種組合允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)者靈活設(shè)計(jì)任何速度和協(xié)議的存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng).

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:900 V Id-連續(xù)漏極電流:36 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:120 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:270 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 長(zhǎng)度:16.13 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.21 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:25 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:20 ns 240 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:400 ns 典型接通延遲時(shí)間:70 ns 零件號(hào)別名:IPW9R12C3XK SP000413750 IPW90R120C3FKSA1 單位重量:38 g

Agere的SERDES是高速硅互連宏單元,集成在它的ASIC系統(tǒng)芯片,SoC標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和單獨(dú)的SERDES/橋接器件.SERDES核用來實(shí)現(xiàn)輸入和輸出功能,增加和減少語音,數(shù)據(jù)和視頻信號(hào)通過銅線和光纖的傳送和接收速度.

Agere的突破性能SERDES能進(jìn)入1,2和4Gbps光纖通道市場(chǎng),在同一核中給用戶提供10Gbps的性能.新SERDES核也支持1.5和3Gbps串行ATA(SATA)和串行附屬SCSI(SAS)以及用于高速串行存儲(chǔ)連接的PCI快速標(biāo)準(zhǔn).

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