運算放大器用途廣泛，相同運算放大器會安裝到各種電氣電子設(shè)備里。各種設(shè)備要求的EMC規(guī)格有所不同，所以對于單體運算放大器的抗EMI干擾性能的比較和測試是非常重要的。

NJM2904B / NJM2902B 是遵照國標(biāo)IEC 62132-4※3以及JEITA標(biāo)準(zhǔn)ED-5008※4的適當(dāng)基準(zhǔn)，進行了產(chǎn)品比較和測試，確定獲得了業(yè)界頂級水準(zhǔn)的抗干擾性能，在新品研發(fā)設(shè)計和探討更換部件時，您可放心使用此款運算放大器。

考慮到疊加在線束上的干擾噪聲會從放大器的電源端子侵入，所以至此的干擾對策還不算完全。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:達林頓晶體管 配置:Single 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:100 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—基極電壓 VCBO:100 V 最大直流電集電極電流:8 A 最大集電極截止電流:50 uA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Tube 高度:9.15 mm 長度:10.4 mm 寬度:4.6 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 產(chǎn)品類型:Darlington Transistors 1000 子類別:Transistors 單位重量:6 g

東芝的256Mb x16 NAND閃存是3.3V單芯片器件，結(jié)構(gòu)為264字X32頁X2048區(qū)，有264字的寄存器，允許程序和讀數(shù)據(jù)能在寄存器和存儲器單元陣列之間傳輸，增量為+256字。擦除是以8K字+256字X32頁的單一區(qū)塊來實現(xiàn)。它利用I/O引腳作為地址和數(shù)據(jù)的輸入/輸出以及指令的輸入。

東芝的x16閃存是BGA封裝或和其它存儲器產(chǎn)品封在一起的多片式封裝（MCP），以支持各種不同的應(yīng)用。東芝提供NOR，SRAM，NAND和假SRAM組合的MCP，為移動電子設(shè)備提供靈活的存儲器解決方案。MCP封裝有更小的占位面積，重量更輕，特別能滿足手機的需求。