eSRAM的速度和閃存非揮發(fā)性PDA數(shù)碼相機的過流保護
發(fā)布時間:2021/2/2 23:31:19 訪問次數(shù):310
MRAM在單一芯片組合了三種主要存儲器的性能:eDRAM的密度,eSRAM的速度和閃存的非揮發(fā)性.
MRAM采用磁性元件而不是電荷來決定存儲器位單元的開/關狀態(tài),使它在許多的應用領域,電子系統(tǒng)和消費類電子,MRAM能替代多種存儲器器件.
設計者可從降低系統(tǒng)多種存儲器的復雜性,減低整個系統(tǒng)成本和改善性能中受益.
MRAM的長壽命和可靠性使它很適合用在苛刻的環(huán)境,或需要長系統(tǒng)壽命的地方如汽車電子和工業(yè)系統(tǒng).此外還可用在軍事和航空航天系統(tǒng).
制造商:Molex產(chǎn)品種類:可插拔接線端子RoHS: 產(chǎn)品:Plugs位置數(shù)量:18 Position節(jié)距:5.08 mm端接類型:Screw電流額定值:15 A電壓額定值:300 V線規(guī)最小值:22 AWG線規(guī)最大值:12 AWG線規(guī)量程:22 AWG to 12 AWG系列:顏色:Black外殼材料:Nylon安裝角:Vertical商標:Molex可燃性等級:UL 94 V-0產(chǎn)品類型:Pluggable Terminal Blocks48子類別:Terminal Blocks商標名:零件號別名:399400718 947918 0399400718
MRAM采用磁性元件而不是電荷來決定存儲器位單元的開/關狀態(tài),使它在許多的應用領域,電子系統(tǒng)和消費類電子,MRAM能替代多種存儲器器件.
設計者可從降低系統(tǒng)多種存儲器的復雜性,減低整個系統(tǒng)成本和改善性能中受益.
超小型USF 0603表面安裝的保險絲,它的容量在32V AC/DC時為50A,可用在有密集電路的敏感設備如手機,PDA和數(shù)碼相機的過流保護.
保險絲的尺寸為1.6 (L) x 0.8 (W) x 0.6 (H) mm.,完全是無鉛的.工作溫度-55度到90度C.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
MRAM在單一芯片組合了三種主要存儲器的性能:eDRAM的密度,eSRAM的速度和閃存的非揮發(fā)性.
MRAM采用磁性元件而不是電荷來決定存儲器位單元的開/關狀態(tài),使它在許多的應用領域,電子系統(tǒng)和消費類電子,MRAM能替代多種存儲器器件.
設計者可從降低系統(tǒng)多種存儲器的復雜性,減低整個系統(tǒng)成本和改善性能中受益.
MRAM的長壽命和可靠性使它很適合用在苛刻的環(huán)境,或需要長系統(tǒng)壽命的地方如汽車電子和工業(yè)系統(tǒng).此外還可用在軍事和航空航天系統(tǒng).
制造商:Molex產(chǎn)品種類:可插拔接線端子RoHS: 產(chǎn)品:Plugs位置數(shù)量:18 Position節(jié)距:5.08 mm端接類型:Screw電流額定值:15 A電壓額定值:300 V線規(guī)最小值:22 AWG線規(guī)最大值:12 AWG線規(guī)量程:22 AWG to 12 AWG系列:顏色:Black外殼材料:Nylon安裝角:Vertical商標:Molex可燃性等級:UL 94 V-0產(chǎn)品類型:Pluggable Terminal Blocks48子類別:Terminal Blocks商標名:零件號別名:399400718 947918 0399400718
MRAM采用磁性元件而不是電荷來決定存儲器位單元的開/關狀態(tài),使它在許多的應用領域,電子系統(tǒng)和消費類電子,MRAM能替代多種存儲器器件.
設計者可從降低系統(tǒng)多種存儲器的復雜性,減低整個系統(tǒng)成本和改善性能中受益.
超小型USF 0603表面安裝的保險絲,它的容量在32V AC/DC時為50A,可用在有密集電路的敏感設備如手機,PDA和數(shù)碼相機的過流保護.
保險絲的尺寸為1.6 (L) x 0.8 (W) x 0.6 (H) mm.,完全是無鉛的.工作溫度-55度到90度C.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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