單晶體管和磁隧道o.18um技術制造CMOS銅互連技術
發(fā)布時間:2021/2/2 23:36:33 訪問次數(shù):185
4Mb MRAM芯片是采用o.18um技術制造.MRAM是一種革命性存儲器技術,它具有難以置信的持久性和速度,能替代今天的半導體存儲器技術.
4Mb 容量的MRAM是256Kx16,采用CMOS銅互連技術,MRAM單元是單晶體管和磁隧道結的結構,它的讀和寫時間小于50ns.
由于MRAM具有非揮發(fā)性,數(shù)據(jù)保持持久性,速度和密度的性能組合,所以它能成為通用的存儲器用在許多方面而消除了需要各種存儲器的組合.
制造商:Yageo產(chǎn)品種類:厚膜電阻器 - SMDRoHS: 封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel系列:電阻:330 kOhms功率額定值:30 mW (1/32 W)容差:1 %溫度系數(shù):200 PPM / C最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 125 C電壓額定值:15 V外殼代碼 - in:01005外殼代碼 - mm:0402應用:High Reliability特點:-高度:0.13 mm長度:0.4 mm封裝 / 箱體:-產(chǎn)品:Thick Film Resistors SMD技術:Thick Film端接類型:SMD/SMT類型:General Purpose寬度:0.2 mm商標:Yageo安裝風格:PCB Mount產(chǎn)品類型:Thick Film Resistors20000子類別:Resistors單位重量:38.400 mg
HPFC-5600支持雙通路,全雙工光纖通道端口操作,為系統(tǒng)制造商節(jié)省有用的板空間.
它可進行1Gbps 和2Gbps的操作,并向下和前一代的Tachyon控制器兼容.HPFC-5600和工業(yè)標準的33和66MHz PCI接口,支持有32位和64位的66/100/133MHz PCI-X(增強PCI)總線結構.
區(qū)塊在真實的PSN條件下通過重建TDM時鐘,滿足G.823/G.824兼容的抖動和漂移性能.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
4Mb MRAM芯片是采用o.18um技術制造.MRAM是一種革命性存儲器技術,它具有難以置信的持久性和速度,能替代今天的半導體存儲器技術.
4Mb 容量的MRAM是256Kx16,采用CMOS銅互連技術,MRAM單元是單晶體管和磁隧道結的結構,它的讀和寫時間小于50ns.
由于MRAM具有非揮發(fā)性,數(shù)據(jù)保持持久性,速度和密度的性能組合,所以它能成為通用的存儲器用在許多方面而消除了需要各種存儲器的組合.
制造商:Yageo產(chǎn)品種類:厚膜電阻器 - SMDRoHS: 封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel系列:電阻:330 kOhms功率額定值:30 mW (1/32 W)容差:1 %溫度系數(shù):200 PPM / C最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 125 C電壓額定值:15 V外殼代碼 - in:01005外殼代碼 - mm:0402應用:High Reliability特點:-高度:0.13 mm長度:0.4 mm封裝 / 箱體:-產(chǎn)品:Thick Film Resistors SMD技術:Thick Film端接類型:SMD/SMT類型:General Purpose寬度:0.2 mm商標:Yageo安裝風格:PCB Mount產(chǎn)品類型:Thick Film Resistors20000子類別:Resistors單位重量:38.400 mg
HPFC-5600支持雙通路,全雙工光纖通道端口操作,為系統(tǒng)制造商節(jié)省有用的板空間.
它可進行1Gbps 和2Gbps的操作,并向下和前一代的Tachyon控制器兼容.HPFC-5600和工業(yè)標準的33和66MHz PCI接口,支持有32位和64位的66/100/133MHz PCI-X(增強PCI)總線結構.
區(qū)塊在真實的PSN條件下通過重建TDM時鐘,滿足G.823/G.824兼容的抖動和漂移性能.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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