EMI濾波和輸入的E-CAP高頻率設計的變壓器/功耗
發(fā)布時間:2021/1/30 0:11:03 訪問次數(shù):431
MinE-CAP系列MIN1072M具有體電容器小型化和浪涌電流管理的集成電路,用于非常高功率密度的AC/DC轉(zhuǎn)換器,極大低縮減輸入電容的體積而不影響輸出波紋,工作效率或變壓器的重新設計.
和傳統(tǒng)技術(shù)相比如非常高開關(guān)頻率,MinE-CAP可獲得相同或大于整體電源尺寸降低而不用改變復雜EMI濾波和增加和非常高頻率設計有關(guān)的變壓器/功耗.
MinE-CAP還能精密管理在AC接通時的浪涌電流,從而不需要耗電的浪涌NTC或大的慢熔保險絲.MinE-CAP器件的輸入電壓從90VAC到350+VAC.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:13 A Rds On-漏源導通電阻:205 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:58 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:66 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:6.22 mm 商標:Infineon / IR 正向跨導 - 最小值:3.2 S 下降時間:46 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:58 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:45 ns 典型接通延遲時間:15 ns 單位重量:4 g
輸入的E-CAP是小型高壓電容器(CHV典型400 V)和并聯(lián)的低壓電容(CLV典型160 V),串聯(lián)到MinE-CAP IC.輸入電容的物理尺寸最小化(降低多達50%)是因為輸入電容的大比例是160V而不是400V,正如在通常通用輸入轉(zhuǎn)換器所用的.
單路高效高度可配置的單路柵極驅(qū)動器,主要用于電動汽車/混合動力汽車的大功率SiCMOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動.功率晶體管的保護如基于并聯(lián)電阻的過流,基于NTC的超溫和DESAT檢測,包括可選擇軟關(guān)斷或兩級斷開.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
MinE-CAP系列MIN1072M具有體電容器小型化和浪涌電流管理的集成電路,用于非常高功率密度的AC/DC轉(zhuǎn)換器,極大低縮減輸入電容的體積而不影響輸出波紋,工作效率或變壓器的重新設計.
和傳統(tǒng)技術(shù)相比如非常高開關(guān)頻率,MinE-CAP可獲得相同或大于整體電源尺寸降低而不用改變復雜EMI濾波和增加和非常高頻率設計有關(guān)的變壓器/功耗.
MinE-CAP還能精密管理在AC接通時的浪涌電流,從而不需要耗電的浪涌NTC或大的慢熔保險絲.MinE-CAP器件的輸入電壓從90VAC到350+VAC.
制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:13 A Rds On-漏源導通電阻:205 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:58 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:66 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:6.22 mm 商標:Infineon / IR 正向跨導 - 最小值:3.2 S 下降時間:46 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:58 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:45 ns 典型接通延遲時間:15 ns 單位重量:4 g
輸入的E-CAP是小型高壓電容器(CHV典型400 V)和并聯(lián)的低壓電容(CLV典型160 V),串聯(lián)到MinE-CAP IC.輸入電容的物理尺寸最小化(降低多達50%)是因為輸入電容的大比例是160V而不是400V,正如在通常通用輸入轉(zhuǎn)換器所用的.
單路高效高度可配置的單路柵極驅(qū)動器,主要用于電動汽車/混合動力汽車的大功率SiCMOSFET和IGBT的柵極驅(qū)動.功率晶體管的保護如基于并聯(lián)電阻的過流,基于NTC的超溫和DESAT檢測,包括可選擇軟關(guān)斷或兩級斷開.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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