超過STM-1和STM-4速率的ITU-T G.812抖動規(guī)范
發(fā)布時間:2021/2/5 18:22:42 訪問次數(shù):549
14位125MSPS(每秒取樣百萬次)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)ADS5500.
其在125MHz的優(yōu)異性能能使先進(jìn)的通信,測試和測量,醫(yī)療,視頻和圖像應(yīng)用增加系統(tǒng)容量,而低的總功耗(750mW)則改善了系統(tǒng)可靠性,允許有更高的通道密度.
ADS5500工作在125MSPS,信噪比(SNR)70dB,100MHz輸入頻率的無毛刺動態(tài)范圍(SFDR)為82dB.
低功耗降低了對電源和熱管理(冷卻)的要求,占位面積和設(shè)備尺寸更小以及有更高的電路密度.省功率也使下一代高性能手提無線,測試和測量以及視頻圖像系統(tǒng)成為可能.
超低抖動性能,最大為4psrms(40psp-p),
超過STM-1和STM-4速率的ITU-T G.812抖動規(guī)范,
容易滿足由SONET/SDH設(shè)備所要求的最嚴(yán)格抖動要求,
提供單端19.44MHz的CMOS輸出時鐘,
提供LOCK指示,
工作電壓3.3V.
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-323-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:28 V Id-連續(xù)漏極電流:1.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:88 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:620 mV 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:350 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長度:2.15 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:5.4 S 產(chǎn)品類型:MOSFET 3000 子類別:MOSFETs 單位重量:5 mg
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
14位125MSPS(每秒取樣百萬次)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)ADS5500.
其在125MHz的優(yōu)異性能能使先進(jìn)的通信,測試和測量,醫(yī)療,視頻和圖像應(yīng)用增加系統(tǒng)容量,而低的總功耗(750mW)則改善了系統(tǒng)可靠性,允許有更高的通道密度.
ADS5500工作在125MSPS,信噪比(SNR)70dB,100MHz輸入頻率的無毛刺動態(tài)范圍(SFDR)為82dB.
低功耗降低了對電源和熱管理(冷卻)的要求,占位面積和設(shè)備尺寸更小以及有更高的電路密度.省功率也使下一代高性能手提無線,測試和測量以及視頻圖像系統(tǒng)成為可能.
超低抖動性能,最大為4psrms(40psp-p),
超過STM-1和STM-4速率的ITU-T G.812抖動規(guī)范,
容易滿足由SONET/SDH設(shè)備所要求的最嚴(yán)格抖動要求,
提供單端19.44MHz的CMOS輸出時鐘,
提供LOCK指示,
工作電壓3.3V.
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-323-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:28 V Id-連續(xù)漏極電流:1.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:88 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:620 mV 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:350 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長度:2.15 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:5.4 S 產(chǎn)品類型:MOSFET 3000 子類別:MOSFETs 單位重量:5 mg
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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