光纖通道存儲(chǔ)局域網(wǎng)的數(shù)據(jù)傳輸速率電磁兼容(EMC)性能
發(fā)布時(shí)間:2021/2/9 10:45:33 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):579
光纖通道存儲(chǔ)局域網(wǎng)的數(shù)據(jù)傳輸速率為1Gbps或2Gbps.在今天,這樣的速度對(duì)SAN是足夠的,但是,下一代的SAN需要更快的光纖通道傳輸速度,改善互連帶寬以減小和消除瓶頸.
為了滿(mǎn)足這一需要,Broadcom的三種新的存儲(chǔ)器件大大地改善了SAN的傳輸性能,從1Gbps和2Gbps過(guò)度到5.25Gbps.
BCM8426目標(biāo)用在中檔到高檔存儲(chǔ)陣列,是12端口光纖通道仲裁回路集線(xiàn)器,能配置成連接智能集束盤(pán)(iBOD)中的光纖通道硬盤(pán)驅(qū)動(dòng).
核心處理器ARM® Cortex®-M0內(nèi)核規(guī)格32-位速度50MHz連接能力CANbus，I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART外設(shè)欠壓檢測(cè)/復(fù)位，DMA，POR，PWM，WDTI/O 數(shù)56程序存儲(chǔ)容量68KB（68K x 8）程序存儲(chǔ)器類(lèi)型閃存EEPROM 容量-RAM 大小8K x 8電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)2.5V ~ 5.5V數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器A/D 8x12b振蕩器類(lèi)型內(nèi)部工作溫度-40°C ~ 105°C（TA）安裝類(lèi)型表面貼裝型封裝/外殼64-LQFP供應(yīng)商器件封裝64-LQFP（7x7）
AS2523或AS2524B提供自動(dòng)電路損耗補(bǔ)償。實(shí)數(shù)(REAL)和復(fù)數(shù)(COMPLEX)阻抗可通過(guò)外部元器件進(jìn)行選擇和調(diào)整。
AS2523和AS2524擁有獨(dú)特的電磁兼容(EMC)性能，工作電流范圍在15mA到100mA 之間(性能要求更低的情況下，可減至5mA)，在聽(tīng)筒模式下采用的標(biāo)準(zhǔn)工作電流為4mA，在免提模式下為11mA。
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
光纖通道存儲(chǔ)局域網(wǎng)的數(shù)據(jù)傳輸速率為1Gbps或2Gbps.在今天,這樣的速度對(duì)SAN是足夠的,但是,下一代的SAN需要更快的光纖通道傳輸速度,改善互連帶寬以減小和消除瓶頸.
為了滿(mǎn)足這一需要,Broadcom的三種新的存儲(chǔ)器件大大地改善了SAN的傳輸性能,從1Gbps和2Gbps過(guò)度到5.25Gbps.
BCM8426目標(biāo)用在中檔到高檔存儲(chǔ)陣列,是12端口光纖通道仲裁回路集線(xiàn)器,能配置成連接智能集束盤(pán)(iBOD)中的光纖通道硬盤(pán)驅(qū)動(dòng).
核心處理器ARM® Cortex®-M0內(nèi)核規(guī)格32-位速度50MHz連接能力CANbus，I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART外設(shè)欠壓檢測(cè)/復(fù)位，DMA，POR，PWM，WDTI/O 數(shù)56程序存儲(chǔ)容量68KB（68K x 8）程序存儲(chǔ)器類(lèi)型閃存EEPROM 容量-RAM 大小8K x 8電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)2.5V ~ 5.5V數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器A/D 8x12b振蕩器類(lèi)型內(nèi)部工作溫度-40°C ~ 105°C（TA）安裝類(lèi)型表面貼裝型封裝/外殼64-LQFP供應(yīng)商器件封裝64-LQFP（7x7）
AS2523或AS2524B提供自動(dòng)電路損耗補(bǔ)償。實(shí)數(shù)(REAL)和復(fù)數(shù)(COMPLEX)阻抗可通過(guò)外部元器件進(jìn)行選擇和調(diào)整。
AS2523和AS2524擁有獨(dú)特的電磁兼容(EMC)性能，工作電流范圍在15mA到100mA 之間(性能要求更低的情況下，可減至5mA)，在聽(tīng)筒模式下采用的標(biāo)準(zhǔn)工作電流為4mA，在免提模式下為11mA。
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