氮化鎵器件已經(jīng)革新了其他行業(yè)的功率轉(zhuǎn)換元件，現(xiàn)在以耐輻射的塑料封裝推出，這種封裝經(jīng)過嚴格的可靠性和電氣測試以確保關(guān)鍵任務(wù)的成功。

新型GaN HEMT的發(fā)布為客戶提供了關(guān)鍵航空航天和國防電力應(yīng)用所需的效率、尺寸和功率密度優(yōu)勢。

對于所有產(chǎn)品線，Teledyne e2v HiRel都會針對最高可靠性應(yīng)用執(zhí)行最嚴苛的認證和測試。對于功率器件，這些測試包括硫酸測試、高空模擬、動態(tài)老化、環(huán)境溫度高達175°C的階躍應(yīng)力、9伏柵極電壓以及全溫度測試。

制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:190 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V Qg-柵極電荷:0.33 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd

與碳化硅(SiC)器件不同，這次發(fā)布的兩款器件可以輕松地并行實施，以增加負載電流或降低有效導(dǎo)通電阻(RDSon)。

（mm）使用壽命溫度范圍接口附加特性TCE-11101±50 ppm

±讀數(shù)的3%5 x 5 x 1

28-管腳 LGA5年0-60 CI2C DK-11101±50 ppm

±讀數(shù)的3%5 x 5 x 1

28-管腳 LGA5年0-60 CI2C, USB校準與維修.

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