四象限硅PIN光電二極管磁帶處理技術(shù)表面貼封裝

發(fā)布時間:2021/2/12 10:55:19 訪問次數(shù):715

標(biāo)準(zhǔn)表面貼封裝，經(jīng)過汽車應(yīng)用認(rèn)證的四象限硅PIN光電二極管---K857PE。

Vishay Semiconductors K857PE感光度高，串?dāng)_僅為0.1 %，幾乎無段間公差，適用于汽車、消費電子和工業(yè)市場各種傳感控制應(yīng)用。

日前發(fā)布的器件經(jīng)過AEC-Q101認(rèn)證，采用四支單片PIN二極管—每支感光區(qū)面積為1.6 mm2—集成在4.72 mm x 4.72 mm x 0.8 mm單體封裝中（正貼）。

電源類型:Single, Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:3.9 mm 商標(biāo):Renesas / Intersil 關(guān)閉:No Shutdown 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Current Feedback Amplifier 雙重電源電壓:+/- 2.5 V to +/- 6 V en - 輸入電壓噪聲密度:2.1 nV/sqrt Hz In—輸入噪聲電流密度:13 pA/sqrt Hz 最大雙重電源電壓:+/- 6 V 最小雙重電源電壓:+/- 2.5 V 濕度敏感性:Yes 工作電源電壓:9 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - High Speed Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:65 dB 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:Amplifier ICs 單位重量:140 mg

自主技術(shù)精確布局伺服*8的磁帶與IBM Research全新開發(fā)的“跟蹤技術(shù)”*9、“信號處理技術(shù)”*10以及相應(yīng)的寫入/讀取設(shè)備相結(jié)合后，驗證了其全球最高的317Gbpsi面記錄密度，成功實現(xiàn)磁帶容量的進(jìn)一步提升。

磁帶技術(shù)“NANO CUBIC”*7，進(jìn)一步提高了磁帶的數(shù)據(jù)記錄密度。

富士膠片自主研發(fā)了一種磁帶處理技術(shù)，以控制寫入伺服模式下的磁帶振動。

根據(jù)IBM Research的評估，通過將伺服信號的波動降到極低，可以最大限度地發(fā)揮驅(qū)動器的跟蹤性能，從而實現(xiàn)磁帶寬度方向的高密度數(shù)據(jù)記錄。