每種衍生產(chǎn)品都為客戶提供了定制特性并幫助他們解決獨特的時序問題。

就 SiT5008 而言，我們通過優(yōu)化我們的算法將頻率穩(wěn)定性提高了 10 倍，并且在兩個月內(nèi)就完成了產(chǎn)品交付。這種開發(fā)提速得以實現(xiàn)，依靠的是我們的系統(tǒng)知識和我們對自動化的持續(xù)投入。

它內(nèi)置關(guān)斷狀態(tài)下的反向阻斷電流功能，可用于電源多路復用器應用。此外，它還內(nèi)置有過流保護、短路保護和熱關(guān)斷功能。該器件還具有FLAG功能，如果電路中發(fā)生異常，可以發(fā)出外部信號，與東芝當前的產(chǎn)品相比，更容易檢測到可能的故障。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:900 V Id-連續(xù)漏極電流:36 A Rds On-漏源導通電阻:120 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:270 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 商標名: 封裝:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 長度:16.13 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.21 mm 商標:Infineon Technologies 下降時間:25 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:20 ns 240 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:400 ns 典型接通延遲時間:70 ns 零件號別名:IPW9R12C3XK SP000413750 IPW90R120C3FKSA1 單位重量:38 g

ROHM很早就加入了由包括電信運營商和電力公司在內(nèi)的大約200家公司組成Wi-SUN聯(lián)盟，并已積累了豐富的開發(fā)經(jīng)驗和成績。此次又推出支持Wi-SUN FAN的模塊，作為業(yè)內(nèi)為數(shù)不多的、提供可構(gòu)建1000個節(jié)點大規(guī)模網(wǎng)狀網(wǎng)絡的Wi-SUN FAN解決方案的企業(yè)，為實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)社會貢獻力量。

即使因新建大樓等環(huán)境變化造成通信受阻，也可以自動優(yōu)化中繼器之間的跳躍路徑，從而可以實現(xiàn)比其他通信標準更高的通信可靠性。使用其他LPWA時，每個終端均會產(chǎn)生通信費，但采用Wi-SUN FAN則不需要通信費，并且可以低成本運行。

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